[發(fā)明專利]一種直拉單晶裝料方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110709832.0 | 申請(qǐng)日： | 2021-06-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113430645A | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭偉揚(yáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 寧夏協(xié)鑫晶體科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/06 | 分類號(hào)： | C30B29/06;C30B15/02 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237 | 代理人： | 徐芝強(qiáng);肖明芳 |
| 地址： | 755099 寧*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 直拉單晶 裝料 方法 | ||
1.一種直拉單晶裝料方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：在石英坩堝底部先裝填小料，形成80-120mm厚度的小料底層(1)；
S2：在小料底層(1)上部，依次堆疊大料，并每堆疊一層大料時(shí)，再用小料填充大料的間隙，直至填充至坩堝高度的2/3，形成大小料復(fù)合層(2)；
S3：在大小料復(fù)合層(2)的上方外圍，緊貼坩堝內(nèi)壁鋪設(shè)大料，形成大料圍合層(3)，同時(shí)在大料圍合層(3)中間填充小料，形成小料填充層(4)，直至距離石英坩堝頂部50-60mm；
S4：在大料圍合層(3)和小料填充層(4)上部平鋪兩層以上的片狀原料，形成片狀料覆蓋層(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶裝料方法，其特征在于，所述的小料為不規(guī)則形狀，線性直徑≤40mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶裝料方法，其特征在于，所述的大料為不規(guī)則形狀，線性直徑在40-80mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶裝料方法，其特征在于，所述的大料和小料的線性直徑比控制3:2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶裝料方法，其特征在于，步驟S2中，所述的大小料復(fù)合層(2)的外圍與坩堝內(nèi)壁接觸處，均采用大料緊貼坩堝內(nèi)壁堆疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶裝料方法，其特征在于，步驟S4中，所述的片狀原料為圓形片狀料或者正方形片狀料；圓形片狀料直徑在200-300mm之間，厚度2-5mm；方形片狀料邊長在150-210mm之間，厚度2-5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的直拉單晶裝料方法，其特征在于，步驟S4中，片狀原料平鋪時(shí)，上一層片狀原料覆蓋在下一層片狀原料的縫隙上，并通過兩層以上的片狀原料完全覆蓋石英坩堝的頂部開口。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧夏協(xié)鑫晶體科技發(fā)展有限公司，未經(jīng)寧夏協(xié)鑫晶體科技發(fā)展有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110709832.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
