[發(fā)明專利]提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器比電容的方法和激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110709662.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113436912B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅斯達(dá);何梅洪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京航空航天大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01G11/86 | 分類號(hào): | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/36 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 劉奇 |
| 地址: | 100191*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 提高 激光 誘導(dǎo) 石墨 電容器 電容 方法 | ||
本發(fā)明提供了提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器比電容的方法和激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器,屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的方法包括以下步驟:提供激光誘導(dǎo)石墨烯材料;將所述激光誘導(dǎo)石墨烯材料進(jìn)行原位焦耳熱處理,得到焦耳熱處理的激光誘導(dǎo)石墨烯材料,其具有納米級(jí)孔洞;以所述焦耳熱處理的激光誘導(dǎo)石墨烯材料作為電極,組裝得到比電容提高的激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器。本發(fā)明通過對(duì)激光誘導(dǎo)石墨烯材料進(jìn)行原位焦耳熱處理,能夠分解激光誘導(dǎo)石墨烯材料中的無定形碳雜質(zhì),形成更多的納米級(jí)孔洞,增加了有效的活性表面積,以此能夠有效提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器的比電容;同時(shí)本發(fā)明提供的方法克服了傳統(tǒng)方法操作復(fù)雜、生產(chǎn)成本高、環(huán)境污染的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電容器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器比電容的方法和激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器。
背景技術(shù)
隨著便攜式手持柔性電子設(shè)備的快速發(fā)展,人們對(duì)高功率、高能量密度、形狀多樣、小型化、易于模塊化和集成化的便攜式儲(chǔ)能裝置的需求日益增加。其中,超級(jí)電容器(SCs)因具有超高的功率密度、超快的充放電速率、優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性和顯著的安全性,既可以作為柔性電池的補(bǔ)充,也可以作為獨(dú)立的微型電源,近年來受到越來越多的關(guān)注。
石墨烯作為優(yōu)異的電子導(dǎo)體,具有高的比表面積和良好的柔性,在微型超級(jí)電容器中表現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。在多種構(gòu)建石墨烯基微型超級(jí)電容器的方法中,激光誘導(dǎo)石墨烯(LIG)技術(shù)價(jià)格低廉、靈活快捷、無需掩模板和復(fù)雜的后續(xù)處理,是一種高效、可快速集成化的加工手段,以LIG作為電極,在SCs制備方面有著巨大的優(yōu)勢(shì)。但是激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器的比電容僅約為4.0mF/cm2(Nature Communication,2014,5,5714),與其它碳基電容器相當(dāng),在一定程度上阻礙了其在大功率電容器中的廣泛應(yīng)用。
目前,已經(jīng)有大量研究來提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器的比電容,常見的兩種方法就是雜原子(包括硼、氮、磷、硫等元素)摻雜和贗電容材料(包括氧化銣、氧化鎳、氧化鈷、氧化錳、氧化釕等過渡金屬氧化物和聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電聚合物)的加載。前者是通過元素替換改變石墨烯的晶格結(jié)構(gòu),從而改變石墨烯中的電荷密度和電子遷移速率來提高比電容。例如Zhiwei Peng等(ACS nano,2015,9(6):5868-5875)在聚酰亞胺酸中添加硼酸然后經(jīng)過亞胺化制備了含硼的聚酰亞胺膜,經(jīng)過激光誘導(dǎo)后,制備了硼摻雜的激光誘導(dǎo)石墨烯電極,最高比電容達(dá)到16.5mF/cm2,是未參雜激光誘導(dǎo)石墨烯電極的3倍。后者是通過加載的贗電容材料來增加表面氧化還原反應(yīng),而不是單純的依靠界面電荷吸附來提高比電容。例如,Lei Li等(Advanced Materials,2016,28(5):838-845.)通過電泳沉積的方式在激光誘導(dǎo)石墨烯膜上加載氧化錳、聚苯胺等贗電容材料,來提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器的比電容。上述方法都在一定程度上提高了激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器的比電容,但是存在操作復(fù)雜、生產(chǎn)成本高、環(huán)境污染等問題,限制了實(shí)際工業(yè)應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器比電容的方法和激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器,本發(fā)明通過對(duì)激光誘導(dǎo)石墨烯材料進(jìn)行原位焦耳熱處理,能夠分解激光誘導(dǎo)石墨烯材料中的無定形碳雜質(zhì),形成更多的納米級(jí)孔洞,以此能夠有效提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器的比電容;同時(shí)本發(fā)明提供的方法克服了傳統(tǒng)方法操作復(fù)雜、生產(chǎn)成本高、環(huán)境污染的問題,利于實(shí)際工業(yè)應(yīng)用。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種提高激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器比電容的方法,包括以下步驟:
提供激光誘導(dǎo)石墨烯材料;
將所述激光誘導(dǎo)石墨烯材料進(jìn)行原位焦耳熱處理,得到焦耳熱處理的激光誘導(dǎo)石墨烯材料,所述焦耳熱處理的激光誘導(dǎo)石墨烯材料具有納米級(jí)孔洞;
以所述焦耳熱處理的激光誘導(dǎo)石墨烯材料作為電極,組裝得到比電容提高的激光誘導(dǎo)石墨烯基電容器。
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