[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110709588.8 | 申請日: | 2021-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN113299726A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 王晶;雋奧;左鵬飛;李然;田宏偉;劉政;樊宜冰;陳善韜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括顯示區,所述顯示區設置有指紋識別模組和顯示模組,所述顯示模組包括多個陣列排布的發光元件,沿遠離所述顯示基板的襯底基板的方向,所述發光元件包括依次設置的第一電極、發光層和第二電極;所述指紋識別模組包括多個陣列排布的指紋識別元件,所述指紋識別元件包括依次設置的第三電極、感光層和第四電極,所述第一電極與所述第三電極位于同一層,且包括相同的材料;和/或,所述第二電極與所述第四電極位于同一層,且包括相同的材料。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括控制所述指紋識別元件的開關薄膜晶體管以及驅動所述發光元件發光的驅動薄膜晶體管,所述驅動薄膜晶體管的各膜層與所述開關薄膜晶體管的對應膜層分別位于同一層,且包括相同的材料。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括位于所述襯底基板上的多行指紋識別選通線和多列指紋識別信號讀取線,所述開關薄膜晶體管的柵極與對應行的指紋識別選通線連接,所述開關薄膜晶體管的源極與對應列的指紋識別信號讀取線連接。
4.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述發光單元還包括位于所述第一電極和所述發光層之間的第一公共傳輸層、位于所述第二電極和所述發光層之間的第二公共傳輸層;
所述指紋識別元件還包括位于所述第三電極和所述感光層之間的第三公共傳輸層、位于所述第四電極和所述感光層之間的第四公共傳輸層;
所述第一公共傳輸層復用為所述第三公共傳輸層;和/或
所述第二公共傳輸層復用為所述第四公共傳輸層。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括多個陣列排布的第一重復單元,所述第一重復單元包括在第一方向上依次排布的多個不同顏色的子像素和所述指紋識別元件,所述第一方向與所述襯底基板的一邊緣平行。
6.根據權利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述指紋識別元件與所述多個子像素中的綠色子像素相鄰。
7.根據權利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述指紋識別元件的尺寸與所述子像素的尺寸相同。
8.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括多個陣列排布的第二重復單元,所述第二重復單元包括在第一方向上依次排布的多個子像素,所述指紋識別元件位于子像素之間的間隙。
9.根據權利要求8所述的顯示基板,其特征在于,在第二方向上,所述指紋識別元件具有與所述第二重復單元中的子像素錯開的部分,第二方向與第一方向相交。
10.根據權利要求8所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電極與所述第三電極位于同一層,且包括相同的材料;
所述第三電極靠近所述襯底基板的一側設置有所述感光層,所述感光層靠近所述襯底基板的一側設置有所述第四電極,所述第三電極包括有通孔,所述通孔在所述襯底基板上的正投影與所述感光層在所述襯底基板上的正投影存在重疊區域。
11.根據權利要求10所述的顯示基板,其特征在于,所述通孔在所述襯底基板上的正投影完全位于所述感光層在所述襯底基板上的正投影內。
12.根據權利要求1-11中任一項所述的顯示基板,其特征在于,
所述第一電極采用反光導電材料;
所述第二電極采用透明導電材料。
13.根據權利要求1-11中任一項所述的顯示基板,其特征在于,
所述感光層的給體材料包括SubPc和/或CuPc,受體材料包括C60和/或C70。
14.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-13中任一項所述的顯示基板。
15.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,所述顯示基板包括顯示區,所述顯示區設置有指紋識別模組和顯示模組,所述顯示模組包括多個陣列排布的發光元件,沿遠離所述顯示基板的襯底基板的方向,所述發光元件包括依次設置的第一電極、發光層和第二電極;所述指紋識別模組包括多個陣列排布的指紋識別元件,所述指紋識別元件包括依次設置的第三電極、感光層和第四電極,所述方法包括:
采用同一次構圖工藝形成所述第一電極與所述第三電極;和/或,
采用同一次構圖工藝形成所述第二電極與所述第四電極;
所述顯示基板還包括控制所述指紋識別元件的開關薄膜晶體管以及驅動所述發光元件發光的驅動薄膜晶體管,所述方法包括:
形成所述驅動薄膜晶體管的每一膜層時,通過同一次構圖工藝形成所述開關薄膜晶體管的對應膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





