[發(fā)明專利]制備納米顆粒的模塊化微流控芯片及其應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110709228.8 | 申請日: | 2021-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN113433040A | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田飛;鄧瑾琦;孫佳姝;劉超 | 申請(專利權(quán))人: | 國家納米科學(xué)中心 |
| 主分類號: | G01N15/00 | 分類號: | G01N15/00;G01N15/02;G01N15/06;B01L3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京市英智偉誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11521 | 代理人: | 劉丹妮 |
| 地址: | 100190 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 納米 顆粒 模塊化 微流控 芯片 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種制備納米顆粒的模塊化微流控芯片,其特征在于,所述模塊化微流控芯片包括入口、支架、壓板、合成芯片模塊、溫控模塊、檢測芯片、電磁閥、連接導(dǎo)管、激光器、電路接口、冷卻水接口鎖緊螺母、激光器微調(diào)支架、芯片底座;
其中,所述電路接口、冷卻水接口鎖緊螺母、激光器微調(diào)支架、芯片底座設(shè)置于所述支架上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊化微流控芯片,其特征在于,所述合成芯片模塊通過壓板和鎖緊螺母安裝在所述支架上;和/或
所述合成芯片模塊包括一個(gè)或多個(gè)合成芯片;優(yōu)選地,當(dāng)所述合成芯片模塊包括多個(gè)合成芯片時(shí),所述合成芯片通過連接導(dǎo)管連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述模塊化微流控芯片,其特征在于,所述合成芯片模塊包括微通道作為制備納米顆粒的反應(yīng)器;
優(yōu)選地,所述微通道的尺寸在1μm-2mm之間,優(yōu)選為20μm-300μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的模塊化微流控芯片,其特征在于,所述溫控模塊安裝在支架中部;和/或
所述溫控模塊內(nèi)部設(shè)置有蜿蜒型通道,用于存儲合成的納米顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的模塊化微流控芯片,其特征在于,所述溫控模塊包括溫度控制芯片、芯片安裝座、TEC制冷片、冷卻組件、冷卻水接口和隔熱墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的模塊化微流控芯片,其特征在于,所述溫控模塊采用半導(dǎo)體制冷技術(shù)進(jìn)行溫度調(diào)控;
優(yōu)選地,所述溫控模塊調(diào)控的溫度范圍為0℃到100℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的模塊化微流控芯片,其特征在于,所述溫控模塊通過冷卻水進(jìn)行降溫。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的模塊化微流控芯片,其特征在于,所述檢測芯片的材料為透明材料,從所述激光器發(fā)射的激光從檢測芯片的側(cè)面照射在納米顆粒上產(chǎn)生散射光;
優(yōu)選地,所述檢測芯片的材料選自以下一種或多種:PDMS、玻璃、石英和藍(lán)寶石。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的模塊化微流控芯片,其特征在于,所述芯片底座上包括電路接口,電路用于電磁閥和溫控模塊控制的傳感。
10.一種納米顆粒制備方法,其特征在于,所述方法包括使用權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的模塊化微流控芯片制備納米顆粒。
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