[發明專利]一種判斷砷化鎵晶體中線性孿晶長度的方法有效
| 申請號: | 202110709208.0 | 申請日: | 2021-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN113427651B | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發明(設計)人: | 劉建忠;劉火陽;周鐵軍;易明輝 | 申請(專利權)人: | 廣東先導微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | B28D5/00 | 分類號: | B28D5/00;G06F17/11;C30B33/10;C30B29/42 |
| 代理公司: | 北京天盾知識產權代理有限公司 11421 | 代理人: | 李瓊芳;肖小龍 |
| 地址: | 511517 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 判斷 砷化鎵 晶體 線性 長度 方法 | ||
1.一種判斷砷化鎵晶體中線性孿晶長度的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1.預處理晶片,測量晶片頭部一端線性孿晶的任意一端點到晶片側面的垂直距離;
S2.根據線性孿晶和晶體角度偏轉的方向和角度有關聯性,得出線性孿晶長度計算公式:
H=Ltan(θ+β)式1
式1中,θ為任一晶面和孿晶面的夾角,θ+β為晶體端面和孿晶面的夾角,β為由一晶面往孿晶面偏轉的度數,L代表晶片頭部一端線性孿晶的任意一端點到晶片側面的垂直距離,H表示需要切割的長度;
式2為根據晶面指數計算晶面夾角的公式,(h,k,l)代表晶面指數,式2中的h1、k1和l1代表任一晶面的晶面指數;式2中的h2、k2和l2代表孿晶面的晶面指數;
S3.通過計算的切割長度,按照切割的長度,對待檢測晶片切除相應的孿晶;
其中,S1中,所述預處理為:從晶體頭部切取待檢測晶片,對待檢測晶片進行化學藥劑腐蝕,顯示出晶片頭部和晶片尾部兩面的線性孿晶;所述化學藥劑為氫氧化銨、過氧化氫和純水的混合藥液;所述混合藥液中,氫氧化銨、過氧化氫和純水的質量比為1-3:1-3:1;
所述晶面為(100)面,所述孿晶面為(111)面。
2.根據權利要求1所述的判斷砷化鎵晶體中線性孿晶長度的方法,其特征在于,所述對待檢測晶片進行化學藥劑腐蝕包括:將待檢測晶片浸泡于所述混合藥液中腐蝕2-8min。
3.根據權利要求1所述的判斷砷化鎵晶體中線性孿晶長度的方法,其特征在于,從晶體頭部切取待檢測晶片的切取方法為:使用內圓切片機或單線切割機,從晶體的頭部即線性孿晶出現的端面作為切割的起始端。
4.根據權利要求3所述的判斷砷化鎵晶體中線性孿晶長度的方法,其特征在于,所述晶體頭部按600-1200μm的厚度切取。
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