[發明專利]吸附機構及吸附系統在審
| 申請號: | 202110708390.8 | 申請日: | 2021-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN113410174A | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發明(設計)人: | 吳火亮;江旭初;徐騰肖;董亞聰 | 申請(專利權)人: | 上海隱冠半導體技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海上谷知識產權代理有限公司 31342 | 代理人: | 陳程;蔡繼清 |
| 地址: | 200135 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸附 機構 系統 | ||
1.一種吸附機構,其特征在于,包括:
吸盤,所述吸盤內開設有第一氣道和第二氣道,且所述吸盤的底部開設有與所述第一氣道相通的進氣孔;所述吸盤內還設有與所述第二氣道相通且貫穿所述吸盤的頂部的走氣通道;
交接裝置,所述交接裝置設置在所述吸盤中;所述交接裝置具有支撐桿,且所述支撐桿
用于在所述第一氣道內通入氣體時被所述氣體頂出所述吸盤的頂部;以及;
單向控制閥,設置在所述吸盤內,連接所述第一氣道和所述第二氣道;其中所述單向控制閥用于在所述第一氣道內通入氣體時關閉,還用于在抽出所述第一氣道內氣體時打開。
2.根據權利要求1所述的吸附機構,其特征在于,所述第一氣道徑向延伸。
3.根據權利要求2所述的吸附機構,其特征在于,所述進氣孔與所述吸盤同軸設置。
4.根據權利要求1或2所述的吸附機構,其特征在于,至少一個所述第一氣道具有延伸至所述吸盤側壁上的第一開口端,所述第一開口端處設置有第一堵頭。
5.根據權利要求1所述的吸附機構,其特征在于,所述第二氣道徑向延伸。
6.根據權利要求1或5所述的吸附機構,其特征在于,所述第二氣道具有延伸至所述吸盤側壁上的第二開口端,所述第二開口端處設置有第二堵頭,所述第二堵頭上開設有節流孔。
7.根據權利要求1或5所述的吸附機構,其特征在于,所述第二氣道與多條所述走氣通道相連通,且所述多條所述走氣通道沿所述第二氣道的延伸方向順次排列。
8.根據權利要求1所述的吸附機構,其特征在于,一條所述第二氣道上的多條所述走氣通道貫穿所述吸盤的頂部形成一個吸附區;所述第二氣道為多條,多條所述第二氣道對應的多個所述吸附區在所述吸盤上均勻分布。
9.根據權利要求8所述的吸附機構,其特征在于,多個所述吸附區沿所述吸盤周向以相同角度間隔開。
10.根據權利要求1所述的吸附機構,其特征在于,所述第二氣道具有多條,一個所述單向控制閥對應多條所述第二氣道中的至少部分。
11.根據權利要求1所述的吸附機構,其特征在于,所述第一氣道與所述第二氣道數量相同,且一一對應,相對應的所述第一氣道和所述第二氣道的延伸方向一致。
12.根據權利要求1所述的吸附機構,其特征在于,所述交接裝置具有多個,且各所述交接裝置沿所述吸盤的周向以相同角度間隔開。
13.根據權利要求1所述的吸附機構,其特征在于,所述交接裝置嵌入在所述吸盤中,且至少一個所述第一氣道直接或間接地通向所述支撐桿的底面。
14.根據權利要求13所述的吸附機構,其特征在于,所述交接裝置還包括具有內腔的外殼,且所述外殼的頂部不高于所述吸盤的頂部;
所述外殼包括:殼體、設置在所述殼體的頂部的壓蓋、設置在所述殼體的底部的限位堵頭,且所述殼體圍繞所述壓蓋和所述限位堵頭形成所述內腔;
所述殼體的側壁上開設有對接連通所述第一氣道和所述內腔的通孔;所述壓蓋上開設有開口,所述支撐桿與所述殼體的內壁可滑動地密封連接,且所述支撐桿可活動地貫穿所述壓蓋的開口或收縮進入所述內腔內;
所述限位堵頭具有凸出至所述內腔中的凸出部,所述凸出部用于支撐所述支撐桿的下底面;且所述凸出部的頂面高于所述通孔的內壁的下部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





