[發明專利]一種共陽極二極管器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202110707360.5
• 申請日: 2021-06-25
• 公開（公告）號: CN113257797B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 陸愛華;黃華興;陳松
• 申請（專利權）人: 瑞能半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L29/861;H01L23/367;H01L23/495;H01L21/50
• 代理公司: 南昌旭瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 36150
• 代理人: 彭琰

1.一種共陽極二極管器件，其特征在于，包括：

導電支架，包括散熱片及設于所述散熱片一側的至少兩個管腳；

第一二極管芯片，其陰極朝下陽極朝上的焊接于所述散熱片之上，所述第一二極管芯片的陰極全面接觸所述散熱片；

陽極銅片，層疊焊接于所述第一二極管芯片的陽極之上；

第二二極管芯片，其陰極朝上陽極朝下的層疊焊接于所述陽極銅片之上；

陰極銅片，層疊焊接于所述第二二極管芯片的陰極之上，所述第二二極管芯片的陰極全面接觸所述陰極銅片；

其中，所述陰極銅片和所述散熱片的厚度相同，所述陽極銅片和所述陰極銅片分別與一個所述管腳焊接；

所述陽極銅片和所述陰極銅片的一側均外延形成一外延部，以通過所述外延部與對應的所述管腳焊接；

所述管腳與所述外延部焊接的一端延伸出焊盤，所述外延部與所述焊盤焊接；

所述散熱片、所述陽極銅片和所述陰極銅片具有高低落差；

其中，所述散熱片、所述陽極銅片和所述陰極銅片對應連接的管腳也相應的高低錯落布置；或者

所述焊盤與所述散熱片共面設置，所述外延部朝向所述焊盤折彎之后與所述焊盤焊接，并通過不同的折彎深度設計來構成3D封裝結構；

所述管腳的數量為3個，3個所述管腳分別與所述散熱片、所述陽極銅片和所述陰極銅片連接；所述共陽極二極管器件還包括用于對所述共陽極二極管器件進行封裝的封裝層，所述封裝層為薄膜材質；

所述散熱片與所述第一二極管芯片的陰極之間設有第一錫膏；

所述陽極銅片與所述第一二極管芯片的陽極之間設有第二錫膏；

所述陽極銅片與所述第二二極管芯片的陽極之間設有第三錫膏；

所述陰極銅片與所述第二二極管芯片的陰極之間設有第四錫膏。

2.一種共陽極二極管器件的制備方法，其特征在于，用于制備權利要求1所述的共陽極二極管器件，所述制備方法包括：

步驟S01、提供一導電支架；

步驟S02、在所述導電支架的散熱片之上設置第一錫膏；

步驟S03、將第一二極管芯片的陰極朝下陽極朝上的放置于所述第一錫膏上焊接；

步驟S04、在所述第一二極管芯片的陽極之上設置第二錫膏；

步驟S05、將陽極銅片放置于所述第二錫膏上焊接，并使所述陽極銅片與所述導電支架的其中一管腳焊接；

步驟S06、在所述陽極銅片之上設置第三錫膏；

步驟S07、將第二二極管芯片的陰極朝上陽極朝下的放置于所述第三錫膏上焊接；

步驟S08、在所述第二二極管芯片的陰極之上設置第四錫膏；

步驟S09、將陰極銅片放置于所述第四錫膏上焊接，并使所述陰極銅片與所述導電支架的另一管腳焊接；

步驟S10，對步驟S09得到的整體進行封裝，形成所述共陽極二極管器件。