[發明專利]有機錫氧化物氫氧化物圖案化組合物、前驅物及圖案化

在審

• 申請號: 202110706883.8
• 申請日: 2016-10-12
• 公開（公告）號: CN113534609A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: S·T·邁耶斯;J·T·安德森;B·J·卡迪諾;J·B·埃德森;K·蔣;D·A·凱斯勒;A·J·特萊茨基
• 申請（專利權）人: 因普里亞公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;G03F7/031;G03F7/004
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 黃琳娟

1.一種用于形成可輻射圖案化涂層的方法，所述可輻射圖案化涂層包含具有金屬陽離子的氧代-羥基網狀結構，所述金屬陽離子具有含有金屬碳鍵和金屬氧鍵的有機配位體，所述方法包含

將包含一組合物的第一前驅物蒸氣輸入至經封閉與環境氛圍隔離的沉積腔室中，所述組合物由式R_nSnX_4-n表示，其中n＝1或2，其中R為具有結合至Sn的1-31個碳原子含有金屬-碳鍵的有機配位體，且X為具有與Sn的可水解鍵的配位體，和

依序或同時輸入第二前驅物蒸氣，所述第二前驅物蒸氣包含能夠在所述沉積腔室中的條件下與所述第一前驅物蒸氣中的組合物反應的含氧化合物，以形成具有以下組分的組合物：包含具有X配合基或配位體的反應產物的非揮發性組分和揮發性組分，其中基板配置有一表面以接收所述組合物的非揮發性組分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中該第二前驅物蒸氣包含水蒸氣。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述沉積腔室具有0.01托至25托的壓力。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中所述沉積腔室具有40℃至175℃的溫度。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，將所述第一前驅物蒸氣的輸入和所述第二前驅物蒸氣的輸入重復至少一次以具有第二沉積循環。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其進一步包括在輸入前驅物蒸氣的各循環之間輸入惰性沖洗氣體的步驟。

7.根據權利要求6的方法，其中所述惰性沖洗氣體是氮氣或氬氣。

8.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中分別將第三前驅物輸入至所述腔室中，所述前驅物包含ML_v，其中v為2≤v≤6且L為可氧化配位體或具有可水解M-L鍵的配位體或其組合，且M為選自周期表的第2族至第16族的金屬。

9.根據權利要求1或3所述的方法，其中所述含氧化合物包括水蒸氣、過氧化氫、臭氧、氧氣、醇或其組合。

10.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，還包括調節沉積腔室中的壓力。

11.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中輸入第一前驅物蒸氣包括產生第一前驅物蒸氣流，從包含第一前驅物組合物的液體產生氣溶膠，將液體注入汽化腔室，閃蒸所述第一前驅物蒸汽的組合物，和/或使惰性載氣鼓泡通過包含第一前驅物蒸氣的組合物的液體，其中形成第一前驅物蒸氣，并且其中在輸入步驟之后通過CVD工藝形成可輻射圖案化薄膜。

12.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中輸入第二前驅物蒸氣包括產生第二前驅物蒸氣流，從包含第一前驅物組合物的液體產生氣溶膠，將液體注入汽化腔室，閃蒸第一前驅物蒸氣的組合物，和/或使惰性載氣鼓泡通過包含第一前驅物蒸氣的組合物的液體，其中形成第一前驅物蒸氣，并且其中在輸入步驟之后通過CVD工藝形成可輻射圖案化薄膜。

13.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中R是甲基、乙基、異丙基、正丁基、仲丁基或叔丁基。