[發明專利]一種聚焦環及刻蝕設備

有效

• 申請號: 202110706492.6
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113436955B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 張洪春
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李路遙;張穎玲

1.一種聚焦環，其特征在于，所述聚焦環包括：

下部聚焦環，用于套設在用于承載半導體器件的承載裝置上；以及

上部聚焦環，與所述下部聚焦環連接，用于包圍所述半導體器件；

所述下部聚焦環上形成有凹槽，所述凹槽能夠反射所述半導體器件刻蝕過程中的反應生成物，以減少所述反應生成物沉積在所述半導體器件的下表面與所述聚焦環的間隙之間；

所述下部聚焦環具有面向所述上部聚焦環的第一曲面，所述第一曲面的一端與所述下部聚焦環的內周面連接，另一端與所述凹槽的一端連接，所述凹槽的另一端與所述上部聚焦環的內周面連接，所述第一曲面沿軸向與所述上部聚焦環上端的距離隨著遠離所述聚焦環中心而逐漸增大或逐漸減小。

2.根據權利要求1所述的聚焦環，其特征在于，所述凹槽的表面為光滑弧面。

3.根據權利要求1所述的聚焦環，其特征在于，所述上部聚焦環具有與所述凹槽連接的對中部，以使所述半導體器件安裝時導向所述承載裝置的中心位置。

4.根據權利要求3所述的聚焦環，其特征在于，所述對中部隨著遠離所述下部聚焦環，與所述承載裝置中心之間的距離逐漸增大。

5.根據權利要求4所述的聚焦環，其特征在于，所述對中部為光滑弧面。

6.根據權利要求5所述的聚焦環，其特征在于，所述對中部與所述凹槽構成兩光滑過渡連接的圓弧鏡面結構。

7.根據權利要求1所述的聚焦環，其特征在于，所述半導體器件中心位于所述承載裝置中心時，所述半導體器件外周面與所述上部聚焦環存在間隙，且所述半導體器件外周面與所述上部聚焦環的最大間隙為1.8mm～2.8mm。

8.一種刻蝕設備，其特征在于，包括：

等離子激發裝置，用于將刻蝕氣體激發，形成等離子體；

射頻電極，用于產生偏壓電場，以使所述等離子體加速運動到待刻蝕的半導體器件表面，對待刻蝕的所述半導體器件進行刻蝕；

承載裝置，設于待刻蝕的所述半導體器件下方，以承載所述半導體器件；以及

權利要求1～7中任意一項所述的聚焦環，套設在所述承載裝置上，并將待刻蝕的所述半導體器件圍設在所述聚焦環內。

9.根據權利要求8所述的刻蝕設備，其特征在于，所述下部聚焦環的最高點低于或等于所述承載裝置承載所述半導體器件的承載面的最低點。