[發(fā)明專利]顯示面板的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110706418.4
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113325625B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉廣惟
• 申請（專利權(quán)）人: 業(yè)成科技（成都）有限公司;業(yè)成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/13;G02F1/133;G02F1/1335
• 代理公司: 成都希盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51226
• 代理人: 楊冬梅;張行知

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板的制備方法，其包括提供彩色濾光片、液晶層、TFT基板構(gòu)成的疊層，所述疊層中，所述液晶層位于所述彩色濾光片與TFT基板之間，所述TFT基板包括多個(gè)TFT，每一所述TFT中的半導(dǎo)體層為銦鎵鋅氧化物；對所述彩色濾光片和/或所述TFT基板進(jìn)行薄化處理；以及在常溫下，對所述疊層進(jìn)行光照退火，以消除所述疊層中的靜電荷。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板的制備方法。

背景技術(shù)

目前應(yīng)用于液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)中的薄膜晶體管(Thinfilm transistor，TFT)技術(shù)分類大致分為非晶硅(amorphous Si，a-Si)、低溫多晶硅(LTPS)及銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。在制程中(如薄化處理)，會(huì)在面板中產(chǎn)生電荷積累。對此，a-Si TFT及IGZO TFT類型的液晶顯示面板均需要退火處理，以釋放電荷。然而，由于IGZO TFT的電特性十分優(yōu)秀，其在TFT截止時(shí)，漏電流(pA數(shù)量級)十分小，與a-Si(uA數(shù)量級)相比，漏電流只有a-Si的十萬分之一，這個(gè)特性對于面板在使用上為一大優(yōu)勢，包含有較佳的的電壓保持率、較低的閃爍值以及可以提供更高速的更新頻率。但另一方面，較低的漏電流，也同樣代表了如果面板有外力造成的電荷累積，則在面板不上電操作的情況下，電荷被釋放的效率相對于a-Si來說也是低了十萬倍。

一般地，對于IGZO TFT液晶顯示面板裂片處理后，會(huì)放入烤箱進(jìn)行高溫烘烤(如，130℃)，以排除在薄化時(shí)因?yàn)槟Σ廉a(chǎn)生的靜電荷累積。但由于LCD中，含有大量的有機(jī)物質(zhì)，例如液晶、配向?qū)印⒉噬珵V光層等，其對溫度十分敏感，這種高溫退火下，對于有機(jī)材料而言都會(huì)造成不同程度的損傷，使得液晶顯示面板的特性因?yàn)楦邷禺a(chǎn)生改變，進(jìn)而影響液晶的反應(yīng)時(shí)間、面板的色彩(偏黃)等。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一方面提供一種顯示面板的制備方法，其包括：

提供彩色濾光片、液晶層、TFT基板構(gòu)成的疊層，所述疊層中，所述液晶層位于所述彩色濾光片與TFT基板之間，所述TFT基板包括多個(gè)TFT，每一所述TFT中的半導(dǎo)體層為銦鎵鋅氧化物；

對所述彩色濾光片和/或所述TFT基板進(jìn)行薄化處理；以及

在常溫下，對所述疊層進(jìn)行光照退火，以消除所述疊層中的靜電荷。

所述制備方法中，通過在常溫下，對彩色濾光片、液晶層、TFT基板構(gòu)成的疊層進(jìn)行光照退火，由于IGZO具有光敏性，光照后IGZO-TFT會(huì)退化，造成漏電流增加，進(jìn)而使得疊層中累積的電荷可以釋放掉。而且，所述制備方法中，光照退火可在常溫下進(jìn)行，相較于高溫?zé)嵬嘶鸬姆绞剑淇梢员苊怙@示面板中的有機(jī)物質(zhì)，例如液晶、配向?qū)印⒉噬珵V光層等，因?yàn)楦邷禺a(chǎn)生的特性改變，進(jìn)而保證了顯示面板的產(chǎn)品質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的制備方法的流程示意圖。

圖2為圖1所示的制備方法中，對彩色濾光片、液晶層、TFT基板構(gòu)成的疊層進(jìn)行薄化處理的示意圖。

圖3為IGZO TFT在光照退化前的IV特性曲線圖。

圖4為IGZO TFT的IV特性曲線在光照退化后的示意圖。

圖5為退火爐的外部的示意圖。

圖6為退火爐的內(nèi)部的示意圖。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例的制備方法獲得的顯示面板與熱退火方式制備的顯示面板在成盒測試(Cell Test)中公共電壓(Vcom)數(shù)據(jù)的對比圖。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例的制備方法獲得的顯示面板與熱退火方式制備的顯示面板的反應(yīng)時(shí)間的對比圖。