[發明專利]一種微型半導體發光器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110705796.0
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113594307A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 顏改革;譚勝友;朱酉良;蔣振宇;閆春輝
• 申請（專利權）人: 深圳第三代半導體研究院
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種微型半導體發光器件的制造方法，其特征在于，包括：

在生長襯底上生長發光外延結構；

形成第一功能層，其中，所述第一功能層至少覆蓋所述發光外延結構背離所述生長襯底的一側；

在所述第一功能層背離所述發光外延結構的一側形成轉移襯底，其中，所述轉移襯底與所述第一功能層之間局部形成有犧牲層；

移除所述生長襯底，并外露出所述發光外延結構的一側；

形成第二功能層，其中，所述第二功能層至少覆蓋所述發光外延結構背離所述轉移襯底的一側；

移除所述犧牲層，以使所述發光外延結構、覆蓋所述發光外延結構的所述第一功能層和覆蓋所述發光外延結構的所述第二功能層與所述轉移襯底無接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述發光外延結構包括外延層和第二導電類型電極，所述外延層包括層疊設置的第一半導體層、有源層以及第二半導體層，所述第二導電類型電極設置在所述第二半導體層背離所述有源層的一側，其中，在所述第二半導體層朝向所述第二導電類型電極一側形成有臺面結構，并外露出部分所述第二半導體層；

所述形成第一功能層的步驟包括：形成覆蓋所述第二半導體層背離所述有源層的一側以及所述第二導電類型電極背離所述第二半導體層的一側的所述第一功能層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，移除所述生長襯底后外露出所述第一半導體層；

所述形成第二功能層的步驟之前，所述方法還包括：

對所述外延層進行圖形化處理，以外露出部分所述第一功能層以及所述第二導電類型電極；

在所述第一半導體層背離所述有源層一側形成第一導電類型電極，其中，在所述第一半導體層朝向所述第一導電類型電極一側形成有臺面結構，并外露出部分所述第一半導體層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成第二功能層的步驟包括：

形成覆蓋所述第一功能層背離所述轉移襯底一側、所述外延層的側壁、所述外延層背離所述轉移襯底一側、所述第一導電類型電極的邊緣區域、以及所述第二導電類型電極的邊緣區域的所述第二功能層；

其中，所述第二功能層上設有用于外露出部分所述第一導電類型電極的第一開槽和用于外露出部分所述第二導電類型電極的第二開槽。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成第二功能層的步驟之前，所述方法還包括：

在所述第二導電類型電極背離所述轉移襯底的一側形成第三導電類型電極，所述第三導電類型電極與所述第二導電類型電極具有相同的摻雜類型；

其中，在所述第二導電類型電極朝向所述第三導電類型電極一側形成有臺面結構，并外露出部分所述第二導電類型電極。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成第二功能層的步驟包括：

形成覆蓋所述第一功能層背離所述轉移襯底一側、所述外延層的側壁、所述外延層背離所述轉移襯底一側、所述第一導電類型電極的邊緣區域、所述第二導電類型電極背離所述轉移襯底一側、以及所述第三導電類型電極的邊緣區域的所述第二功能層；

其中，所述第二功能層上設有用于外露出部分所述第一導電類型電極的第一開槽和用于外露出部分所述第三導電類型電極的第三開槽。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述發光外延結構包括外延層、第一導電類型電極和第二導電類型電極，所述外延層包括層疊設置的第一半導體層、有源層以及第二半導體層，其中，在所述第一半導體層朝向所述第二半導體層一側形成有臺面結構，并外露出部分所述第一半導體層，所述第一導電類型電極設置在所述第一半導體層背離所述生長襯底的一側，所述第二導電類型電極設置在所述第二半導體層背離所述有源層的一側；

所述形成第一功能層的步驟包括：形成覆蓋所述外延層背離所述生長襯底一側、所述外延層側壁、所述第一導電類型電極的邊緣區域以及所述第二導電類型電極的邊緣區域的所述第一功能層，其中，所述第一功能層上設有用于外露出部分所述第一導電類型電極的第四開槽和用于外露出部分所述第二導電類型電極的第五開槽。