[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 202110705509.6
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113851439A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 樸商植;姜蕓炳;金宣教;全俊鎬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體封裝件，包括：

第一堆疊件，其包括第一半導體襯底；

多個硅通孔，其穿過所述第一半導體襯底；

第二堆疊件，其位于所述第一堆疊件上，所述第二堆疊件包括面對所述第一堆疊件的第一表面的第二表面；

第一焊盤，其位于所述第一堆疊件的第一表面上，所述第一焊盤與所述多個硅通孔中的一個或多個接觸；

第二焊盤，其位于所述第二堆疊件的第二表面上；

凸塊，其連接所述第一焊盤和所述第二焊盤；

第一冗余焊盤，其位于所述第一堆疊件的第一表面上，所述第一冗余焊盤與所述第一焊盤間隔開，并且不與所述多個硅通孔接觸；

第二冗余焊盤，其位于所述第二堆疊件的第二表面上，所述第二冗余焊盤與所述第二焊盤間隔開；以及

冗余凸塊，其連接所述第一冗余焊盤和所述第二冗余焊盤，

其中：

所述第一焊盤和所述第一冗余焊盤彼此電連接，并且

所述第二焊盤和所述第二冗余焊盤彼此電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括沿著所述第一堆疊件的第一表面延伸的互連線，

其中，所述互連線電連接所述第一焊盤和所述第一冗余焊盤。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中：

當從所述第一堆疊件的第一表面測量時，所述第一焊盤的高度大于所述互連線的高度，并且

當從所述第一堆疊件的第一表面測量時，所述第一冗余焊盤的高度大于所述互連線的高度。

4.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中：

所述第二堆疊件包括第二半導體襯底和所述第二半導體襯底上的半導體器件層，并且

所述半導體器件層電連接所述第二焊盤和所述第二冗余焊盤。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中：

所述半導體器件層包括線間絕緣膜和堆疊在所述線間絕緣膜中的線，并且

堆疊在所述線間絕緣膜中的最靠近所述第二表面的線與所述第二焊盤接觸，并且與所述第二冗余焊盤接觸。

6.根據權利要求2所述的半導體封裝件，還包括沿著所述第二堆疊件的第二表面延伸的第二互連線，

其中，所述第二互連線電連接所述第二焊盤和所述第二冗余焊盤。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一焊盤與所述第一冗余焊盤間隔開的距離在3μm至8μm的范圍內。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一焊盤的寬度在15μm至30μm的范圍內。

9.一種半導體封裝件，包括：

第一堆疊件，其包括中間區域和圍繞所述中間區域的邊緣區域，所述第一堆疊件包括第一半導體襯底；

多個硅通孔，其穿過所述第一半導體襯底；

一個或多個第一焊盤，其位于所述第一堆疊件的邊緣區域的頂表面上，所述一個或多個第一焊盤與所述多個硅通孔中的一個或多個接觸；

一個或多個第一冗余焊盤，其位于所述第一堆疊件的邊緣區域的頂表面上，所述一個或多個第一冗余焊盤與所述一個或多個第一焊盤間隔開，并且不與所述多個硅通孔接觸；以及

一個或多個第一互連線，其沿著所述第一堆疊件的邊緣區域的頂表面延伸，以電連接所述一個或多個第一焊盤和所述一個或多個第一冗余焊盤。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝件，其中：

所述一個或多個第一冗余焊盤包括多個第一冗余焊盤，并且

所述多個第一冗余焊盤中電連接到接近平面圖中所述第一堆疊件的中心的一個第一焊盤的數量小于所述多個第一冗余焊盤中電連接到遠離平面圖中所述第一堆疊件的中心的另一第一焊盤的數量。