[發(fā)明專利]一種去耦裝置及陣列天線在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110705474.6 | 申請日: | 2021-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN113517549A | 公開(公告)日: | 2021-10-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 邱小凱;曾志 | 申請(專利權(quán))人: | 摩比天線技術(shù)(深圳)有限公司;摩比科技(深圳)有限公司;摩比通訊技術(shù)(吉安)有限公司;摩比科技(西安)有限公司;深圳市晟煜智慧網(wǎng)絡科技有限公司;西安摩比天線技術(shù)工程有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/52;H01Q15/00;H01Q19/10;H01Q21/30;H01Q1/12 |
| 代理公司: | 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 鐘連發(fā) |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 裝置 陣列 天線 | ||
本發(fā)明提供了一種去耦裝置,包括反射板、第一輻射組件、第二輻射組件以及去耦組件;所述第一輻射組件工作于第一頻段,所述第一輻射組件包括安裝于所述反射板的一側(cè)的支撐柱以及自所述支撐柱朝外延伸的輻射臂;所述第二輻射組件工作于第二頻段,所述第二頻段高于所述第一頻段;所述去耦組件包括套設于所述輻射臂且與所述輻射臂間隔的導電層,所述導電層具有多個輻射間隙,所述輻射間隙能夠供所述第一頻段的電磁波通過,所述輻射間隙能夠阻擋所述第二頻段的電磁波通過。去耦組件套設于輻射臂上,去耦組件允許低頻帶電磁波信號通過,阻擋高頻帶電磁信號,從而降低第一輻射組件對第二輻射組件性能的影響。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及無線通信基站天線領(lǐng)域,尤其涉及一種去耦裝置及陣列天線。
背景技術(shù)
基站(BS)即公用移動通信基站是無線電臺站的一種形式,是指在有限的無線電覆蓋區(qū)中,通過移動通信交換中心,與移動電話終端之間進行信息傳遞的無線電收發(fā)信電臺。基站是移動通信中組成蜂窩小區(qū)的基本單元,完成移動通信網(wǎng)和移動通信用戶之間的通信和管理功能。
基站天線是無線通信的重要組成部分,隨著無線通信快速發(fā)展,對容量需求大幅增加,多頻天線成為市場主流。目前的多頻天線包括低頻天線陣列和高頻天線陣列。隨著站點天線數(shù)量不斷增加,風載增加,需要盡可能縮小天線橫截面積來降低風載,那么就會造成低頻單元對高頻單元產(chǎn)生遮擋,進而對高頻單元的輻射性能產(chǎn)生很大影響。
因此,有必要對上述多頻天線中低頻單元對高頻單元的輻射性能產(chǎn)生很大的影響進行改進。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種去耦裝置,解決現(xiàn)有技術(shù)多頻天線中低頻單元對高頻單元的輻射性能產(chǎn)生影響的問題。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:第一方面提供一種去耦裝置,包括反射板、第一輻射組件、第二輻射組件以及去耦組件;所述第一輻射組件工作于第一頻段,所述第一輻射組件包括安裝于所述反射板的一側(cè)的支撐柱以及自所述支撐柱朝外延伸的輻射臂;所述第二輻射組件工作于第二頻段,所述第二頻段高于所述第一頻段,所述第二輻射組件安裝于所述反射板且位于所述支撐柱的一側(cè);所述去耦組件包括套設于所述輻射臂且與所述輻射臂間隔的導電層,所述導電層具有多個輻射間隙,所述輻射間隙能夠供所述第一頻段的電磁波通過,所述輻射間隙能夠阻擋所述第二頻段的電磁波通過。
進一步的,所述第一頻段為690-960MHz,所述第二頻段為1695-2690MHz,所述輻射間隙的寬度為0.3-1mm。
進一步的,所述去耦組件還包括殼體,所述殼體套設于所述輻射臂,所述導電層貼合于所述殼體外層或嵌設于所述殼體內(nèi)部。
進一步的,所述殼體的外形為多棱柱體或圓柱體,所述導電層包括環(huán)繞所述輻射臂且沿所述輻射臂的長度方向間隔排列的多個金屬貼片,相鄰所述金屬貼片之間形成所述輻射間隙。
進一步的,所述金屬貼片的邊長為所述第二頻段的中心頻點波長的1/8。
進一步的,所述輻射臂包括第一子臂和第二子臂,所述第一子臂和第二子臂垂直交錯設置。
進一步的,所述第二輻射組件包括多個設置于所述反射板上的第二輻射單元,各所述第二輻射單元環(huán)繞所述支撐柱分布。
本發(fā)明第二方面提供一種陣列天線,包括低頻隔離單元和至少兩個上述去耦裝置,所述低頻隔離單元設置于所述去耦裝置之間,所述低頻隔離單元用于將相鄰所述去耦裝置的低頻段信號隔離。
進一步的,所述低頻隔離單元包括所述去耦組件及低頻隔離條,所述去耦組件套設于所述低頻隔離條。
進一步的,所述低頻隔離條的長度為所述第一頻段的中心頻點波長的1/2。
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