[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110705317.5
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113644044A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 黃文宏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明提供了一種半導體結構，包括：第二線路層；第一線路層，通過多個凸塊接合至第二線路層的頂面，第一線路層具有線路密集區和線路疏離區；通孔，穿過第一線路層的線路疏離區以將第一線路層電連接至第二線路層。本發明的目的在于提供一種半導體結構及其形成方法，以優化半導體結構的性能。

技術領域

本申請的實施例涉及半導體結構及其形成方法。

背景技術

因應高階終端產品所需，封裝件(PKG)尺寸越來越大，輸入/輸出(I/O)數越來越多，基板層數也越來越多，因此使用混合扇出式基板技術滿足高階產品需求。扇出式基板是透過粘合層去結合扇出線路層與基板，再通過通孔連通線路層與基板之間的電性通道。

發明內容

針對相關技術中存在的問題，本發明的目的在于提供一種半導體結構及其形成方法，以優化半導體結構的性能。

為實現上述目的，本發明提供了一種半導體結構，包括：第二線路層；第一線路層，通過多個凸塊接合至第二線路層的頂面，第一線路層具有線路密集區和線路疏離區；通孔，穿過第一線路層的線路疏離區以將第一線路層電連接至第二線路層。

在一些實施例中，多個凸塊位于線路密集區下方。

在一些實施例中，線路疏離區中介電層的體積與線路疏離區的體積的比率大于89.83％，線路密集區中介電層的體積與線路密集區的體積的比率小于89.83％。

在一些實施例中，線路疏離區位于線路密集區的周圍。

在一些實施例中，第二線路層中內埋有復數個電子元件，電子元件電連接至第一線路層。

在一些實施例中，電子元件為晶片。

在一些實施例中，復數個電子元件位于線路密集區下方。

在一些實施例中，還包括：填充材料，位于第一線路層和第二線路層之間，通孔穿過填充材料。

在一些實施例中，填充材料圍繞多個凸塊。

在一些實施例中，通孔是熱通孔。

本申請的實施例還提供一種形成半導體結構的方法，包括：提供第二線路層；將第一線路層通過多個凸塊接合至第二線路層，第一線路層具有線路密集區和線路疏離區；形成穿過第一線路層的線路疏離區的通孔，通孔電連接至第二線路層。

在一些實施例中，第二線路層具有位于第二線路層的上表面處的多個接墊，多個凸塊和多個接墊一一對應地連接。

在一些實施例中，多個凸塊是位于線路密集區下方的多個焊球。

在一些實施例中，在將第一線路層通過多個凸塊接合至第二線路層時，填充材料形成在第一線路層和第二線路層之間，填充材料圍繞多個凸塊。

在一些實施例中，通孔還穿過填充材料以電連接至第二線路層。

在一些實施例中，線路疏離區位于線路密集區的周圍。

在一些實施例中，第二線路層內埋有復數個電子元件，復數個電子元件位于線路密集區下方。

在一些實施例中，復數個電子元件通過多個凸塊電連接至線路密集區。

在一些實施例中，形成通孔的步驟包括：使用激光鉆孔工藝形成穿過線路疏離區的開孔，并在開口中填充導電材料以形成通孔。

在一些實施例中，通孔電連接至第二線路層中的導電柱。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。