[發明專利]顯示裝置

在審

• 申請號: 202110705289.7
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113948035A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 申星修;柳元相;李相杰
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;G09G3/3208;H01L27/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;唐明英

1.一種顯示裝置，包括：

包括顯示區域和非顯示區域的基板；

位于所述非顯示區域中的第一薄膜晶體管；以及

位于所述顯示區域中的第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，

其中，所述第一薄膜晶體管包括：

包括第一多晶硅的第一半導體圖案；

與所述第一半導體圖案交疊的第一柵極電極；以及

連接至所述第一半導體圖案的第一源極電極和第一漏極電極，其中，所述第二薄膜晶體管包括：

包括第一氧化物半導體的第二半導體圖案和第三半導體圖案；

與所述第二半導體圖案交疊的第二柵極電極；

與所述第三半導體圖案交疊的第三柵極電極；以及

通過接觸孔連接至所述第二半導體圖案和所述第三半導體圖案的第二源極電極和第二漏極電極，并且

其中，所述第三薄膜晶體管包括：

包括第一氧化物半導體的第四半導體圖案；

與所述第四半導體圖案交疊的第四柵極電極；以及

連接至所述第四半導體圖案的第三源極電極和第三漏極電極。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二半導體圖案和所述第三半導體圖案通過所述第二源極電極和所述第二漏極電極并聯連接。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二半導體圖案和所述第三半導體圖案彼此交疊。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第二半導體圖案包括第二源極區和第二漏極區，所述第二源極電極和所述第二漏極電極分別與所述第二源極區和所述第二漏極區接觸，并且

其中，所述第三半導體圖案包括第三源極區和第三漏極區，所述第二源極電極和所述第二漏極電極分別與所述第三源極區和所述第三漏極區接觸。

5.根據權利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第二源極區、所述第二漏極區、所述第三源極區和所述第三漏極區中的每一個使用摻雜劑摻雜并且包括導電區。

6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，當所述第二半導體圖案的導電區在溝道方向上的長度由L2表示并且所述第三半導體圖案的導電區在溝道方向上的長度由L1表示時，L2被設置為大于L1。

7.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，所述摻雜劑包括硼B、磷P、氟F和氫H中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，在Ids-Vgs曲線中的飽和區域中，所述第二薄膜晶體管的驅動電流的值大于所述第三薄膜晶體管的驅動電流的值，其中，Ids表示源極-漏極電流，并且Vgs表示柵極-源極電壓。

9.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二薄膜晶體管的S因子的值大于所述第三薄膜晶體管的S因子的值，其中所述S因子表示電流變化與電壓變化的比率。

10.一種顯示裝置，包括：

包括顯示區域和非顯示區域的基板；

位于所述非顯示區域中的驅動電路單元；以及

位于所述顯示區域中的像素單元；

其中，所述像素單元包括開關晶體管和驅動晶體管，所述開關晶體管和所述驅動晶體管被配置成具有各自不同的結構，

其中，所述驅動晶體管包括：

包括源極/漏極區和溝道區的第一有源層；

位于所述第一有源層上方的第二有源層；

位于所述第二有源層上方的源極/漏極電極，所述源極/漏極電極連接至所述第一有源層的源極/漏極區以及所述第二有源層的源極/漏極區；

位于所述第一有源層下方的下柵極電極；以及

位于所述第二有源層上方的上柵極電極；

其中，所述第一有源層的源極/漏極區通過第一接觸孔連接至所述源極/漏極電極，

其中，所述第二有源層的源極/漏極區通過第二接觸孔連接至所述源極/漏極電極，并且

其中，所述第一接觸孔位于在溝道方向上比所述第二接觸孔更遠離所述上柵極電極的位置。