[發明專利]一種微型半導體發光器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110703955.3
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113594306A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 顏改革;朱酉良;譚勝友;蔣振宇;閆春輝
• 申請（專利權）人: 深圳第三代半導體研究院
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種微型半導體發光器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一垂直型發光二極管，所述垂直型發光二極管至少包括依次層疊設置的第一半導體電極、外延層、第二半導體電極；

對所述第二半導體電極進行圖案化處理，以外露出部分所述外延層；

形成第一功能層，其中，所述第一功能層至少覆蓋所述外延層背離所述第一半導體電極的一側，且所述第一功能層上設有第一開槽以外露出部分第二半導體電極；

在所述第一功能層背離所述外延層的一側形成轉移襯底，其中，所述轉移襯底與所述第一功能層之間局部形成有犧牲層；

對所述垂直型發光二極管進行圖案化處理，以使所述垂直型發光二極管形成若干個間隔設置的臺面結構，并外露出部分所述第一功能層；

形成第二功能層，其中，所述第二功能層至少覆蓋所述第一半導體電極背離所述外延層的一側、所述外延層的第一側壁以及所述第一功能層背離所述轉移襯底的一側，且所述第二功能層上設有第二開槽以外露出部分第一半導體電極；

移除所述犧牲層，以使所述垂直型發光二極管、覆蓋所述垂直型發光二極管的所述第一功能層以及覆蓋所述垂直型發光二極管的所述第二功能層與所述轉移襯底無接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一垂直型發光二極管的步驟，包括：

從所述第二半導體層蝕刻到所述第一半導體層，以在所述第一半導體層朝向所述第二半導體層一側形成有臺面結構，并外露出部分所述第一半導體層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

所述形成第一功能層的步驟包括：形成覆蓋所述第二半導體層背離所述第一半導體層的一側、所述第二半導體電極的邊緣區域、所述第二半導體層一側壁、所述有源層一側壁、以及所述第一半導體層靠近所述有源層一側的外露表面的所述第一功能層；

所述形成第二功能層的步驟包括：形成覆蓋所述第一功能層靠近所述第二半導體層一側、所述第二半導體層另一側壁、所述有源層另一側壁、所述第一半導體層一側壁、所述第一半導體層背離第二半導體層的一側、所述第一半導體電極的邊緣區域、以及所述第一半導體另一側壁的所述第二功能層。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

所述形成第一功能層的步驟包括：形成覆蓋所述第二半導體層背離所述第一半導體層的一側、所述第二半導體電極的邊緣區域、所述第二半導體層一側壁、所述有源層一側壁的所述第一功能層；

所述形成第二功能層的步驟之前，所述方法還包括：去除外露出的部分所述第一半導體層，以使所述第一半導體層的邊緣與所述有源層的邊緣對齊；

所述形成第二功能層的步驟包括：形成覆蓋所述第一功能層靠近所述第二半導體層一側、所述第二半導體層另一側壁、所述有源層另一側壁、所述第一半導體一側壁、所述第一半導體層背離所述第二半導體層的一側、所述第一半導體電極的邊緣區域、所述第一半導體另一側壁、以及所述第一功能層靠近所述第一半導體層的一側的所述第二功能層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述垂直型發光二極管進行圖案化處理的步驟，包括：

對所述垂直型發光二極管進行圖案化處理，以使所述垂直型發光二極管形成若干個間隔設置的臺面結構，外露出與所述轉移襯底接觸的所述第一功能層和靠近所述犧牲層一側的所述第一功能層；

所述形成第一功能層的步驟包括：形成覆蓋所述第二半導體層背離所述第一半導體層的一側、所述第二半導體電極的邊緣區域的所述第一功能層；

所述形成第二功能層的步驟包括：形成覆蓋所述第一功能層靠近所述第二半導體層一側、所述第二半導體層側壁、所述有源層側壁、所述第一半導體側壁、所述第一半導體層背離所述第二半導體層的一側、所述第一半導體電極的邊緣區域、以及所述第一功能層靠近第一半導體層一側的所述第二功能層。