[發(fā)明專利]存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)恢復(fù)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110703225.3
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113342577A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃真;李康
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: G06F11/14
• 分類號: G06F11/14;G11C29/42
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 李路遙;張穎玲

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種存儲設(shè)備，包括：至少一個存儲陣列；所述存儲陣列包括多個存儲芯片；所述多個存儲芯片中的每個存儲芯片均包括多個存儲平面；所述多個存儲平面中的每個存儲平面均包括按照同一編號規(guī)則進(jìn)行編號的多個存儲頁；所述存儲陣列包括第一存儲區(qū)域；所述第一存儲區(qū)域包括至少一個存儲頁行；所述存儲頁行包括所述多個存儲平面中具有相同編號的多個存儲頁；所述第一存儲區(qū)域中的每個存儲頁用于存儲第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)；其中，所述第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)包括相應(yīng)存儲頁所屬存儲平面中剩余存儲頁存儲數(shù)據(jù)的校驗(yàn)數(shù)據(jù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)恢復(fù)方法。

背景技術(shù)

存儲設(shè)備，如固態(tài)硬盤(SSD，Solid State Disk)可以包括多個存儲芯片，如NAND閃存，每個存儲芯片可以包括多個存儲平面，每個存儲平面可以包括多個存儲塊，每個存儲塊可以包括多個存儲頁，每個存儲頁可以包括多個存儲單元，每個存儲單元可以被編程并存儲一位或多位數(shù)據(jù)。在存儲設(shè)備中出現(xiàn)少數(shù)位數(shù)的數(shù)據(jù)錯誤時(shí)，一般采用可以糾錯的錯誤檢查和糾正(ECC，Error Checking and Correction)編碼對錯誤數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯或恢復(fù)。

然而，當(dāng)出現(xiàn)多個位數(shù)據(jù)錯誤時(shí)，ECC校驗(yàn)算法無法對多個位錯誤數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯或恢復(fù)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決相關(guān)技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提出一種存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)恢復(fù)方法。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲設(shè)備，包括：

至少一個存儲陣列；所述存儲陣列包括多個存儲芯片；所述多個存儲芯片中的每個存儲芯片均包括多個存儲平面；所述多個存儲平面中的每個存儲平面均包括按照同一編號規(guī)則進(jìn)行編號的多個存儲頁；

所述存儲陣列包括第一存儲區(qū)域；所述第一存儲區(qū)域包括至少一個存儲頁行；所述存儲頁行包括所述多個存儲平面中具有相同編號的多個存儲頁；所述第一存儲區(qū)域中的每個存儲頁用于存儲第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)；其中，所述第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)包括相應(yīng)存儲頁所屬存儲平面中剩余存儲頁存儲數(shù)據(jù)的校驗(yàn)數(shù)據(jù)。

上述方案中，所述第一存儲區(qū)域包括最大編號的存儲頁形成的存儲頁行或者最小編號的存儲頁形成的存儲頁行。

上述方案中，所述多個存儲頁中的每個存儲頁包括多個存儲單元；所述多個存儲單元中的每個存儲單元的存儲位數(shù)包括一位或多位；

所述第一存儲區(qū)域包括至少與所述存儲位數(shù)相同數(shù)量的存儲頁行。

上述方案中，每個所述存儲單元的存儲位數(shù)包括三位；

所述第一存儲區(qū)域包括至少三個存儲頁行；其中，

所述三個存儲頁行中的第一個存儲頁行中的每個存儲頁用于存儲相應(yīng)存儲頁所屬存儲平面中剩余存儲頁的編號能夠被三整除的存儲頁存儲數(shù)據(jù)的第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)；所述三個存儲頁行中的第二個存儲頁行中的每個存儲頁用于存儲相應(yīng)存儲頁所屬存儲平面中剩余存儲頁的編號被三整除余一的存儲頁存儲數(shù)據(jù)的第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)；所述三個存儲頁行中的第三個存儲頁行中的每個存儲頁用于存儲相應(yīng)存儲頁所屬存儲平面中剩余存儲頁的編號被三整除余二的存儲頁存儲數(shù)據(jù)的第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)。

上述方案中，所述存儲設(shè)備還包括第一緩存器；所述第一緩存器的容量與所述第一存儲區(qū)域的容量相同，用于緩存所述第一存儲區(qū)域中的第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)。

上述方案中，所述存儲芯片包括三維NAND存儲器。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種存儲設(shè)備，包括：

至少一個存儲陣列；所述存儲陣列包括多個存儲芯片；所述多個存儲芯片中的每個存儲芯片均包括多個存儲平面；所述多個存儲平面中的每個存儲平面均包括按照同一編號規(guī)則進(jìn)行編號的多個存儲頁；