[發(fā)明專利]一種基于X射線示蹤顆粒的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110702896.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113418940B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張瓊;高建華;林綠林;武蕙琳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N23/04 | 分類號(hào): | G01N23/04;G01N23/18 |
| 代理公司: | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人: | 閆樹平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 射線 顆粒 檢測(cè) 方法 裝置 | ||
本發(fā)明屬于缺陷檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種基于X射線示蹤顆粒的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置,本發(fā)明根據(jù)被檢測(cè)件自身的材料、尺寸、形狀等參數(shù)信息建立出理想模型,隨后在理想模型中進(jìn)行各種缺陷(如:未封閉、多類型、復(fù)雜缺陷)模擬,通過對(duì)模擬的各種缺陷進(jìn)行預(yù)掃描建立各種缺陷對(duì)應(yīng)的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)圖。然后將實(shí)際掃描結(jié)果與評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)圖進(jìn)行比對(duì),完成零件的缺陷檢測(cè)。由于各種缺陷評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)圖是在檢測(cè)前通過對(duì)模擬的各種缺陷進(jìn)行預(yù)掃描建立的,相當(dāng)于針對(duì)被檢測(cè)件建立了一個(gè)完整的缺陷信息庫,從而使得本發(fā)明能夠適用于流水線操作,實(shí)現(xiàn)批量檢測(cè)。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的檢測(cè)方式更為簡(jiǎn)單準(zhǔn)確,且無需對(duì)被檢測(cè)件進(jìn)行反復(fù)測(cè)量,因此具有更低的成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于缺陷檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于X射線示蹤顆粒的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)
眾所周知,X射線具有穿透物質(zhì)的能力,并且不同物質(zhì)對(duì)X射線的吸收程度不同。利用X 射線穿透物質(zhì)的特性和熒光特性,使用X射線成像設(shè)備掃描樣品即可獲得代表X射線穿透不同密度介質(zhì)時(shí)穿透力的圖像,通過對(duì)這些圖像進(jìn)行分析、處理即可得到反映樣品質(zhì)量的信息,從而
識(shí)別零件制造或使用時(shí)出現(xiàn)的故障,如裂紋、間隙、腐蝕等。
在傳統(tǒng)的X射線成像檢測(cè)系統(tǒng)中,射線源由高能電子轟擊靶面產(chǎn)生韌致輻射,該輻射線具有連續(xù)且能譜分布帶寬較寬的特點(diǎn);X射線的探測(cè)器一般采用間接測(cè)量模式,是將不同能量的X射線光子激發(fā)熒光材料得到的可見光光子進(jìn)行積分測(cè)量,反映X射線的統(tǒng)計(jì)衰減特性。采用這種測(cè)量模式,X射線的成像過程中能譜的相關(guān)信息大量損失,導(dǎo)致圖片分辨率低,難以提供定量評(píng)估。尤其是針對(duì)間隙/裂紋深度確定方面,無法對(duì)被檢測(cè)件材料的物理性質(zhì)進(jìn)行精確判斷;在處理復(fù)雜、不規(guī)則形狀的材料樣品時(shí),難以確保最佳檢驗(yàn)策略,從而導(dǎo)致不準(zhǔn)確的解釋。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基于X射線示蹤顆粒的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中因X射線成像過程中能譜相關(guān)信息大量損失,導(dǎo)致圖片分辨率低,無法準(zhǔn)確反映檢測(cè)目標(biāo)損傷的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取了如下技術(shù)方案:
一種基于X射線示蹤顆粒的檢測(cè)方法,包括以下步驟:
步驟1、提取被檢測(cè)件的元素組成、形狀以及尺寸大小參數(shù),建立被檢測(cè)件的理想模型;
步驟2、在步驟1所建立的理想模型中進(jìn)行各種缺陷模擬;然后對(duì)模擬缺陷進(jìn)行預(yù)掃描,并根據(jù)預(yù)掃描結(jié)果建立各缺陷對(duì)應(yīng)的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)圖;
步驟3、在被檢測(cè)件的缺陷位置填滿示蹤顆粒,然后采用X射線對(duì)被檢測(cè)件進(jìn)行透照,得到被檢測(cè)件的X射線成像信息和能譜分布圖;
步驟4、將步驟3得到的成像信息和能譜分布圖與步驟2中建立的缺陷評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)圖進(jìn)行比對(duì),確定出被檢測(cè)件裂紋或缺陷的位置、深度等參數(shù)信息,完成被檢測(cè)件的缺陷檢測(cè)。
根據(jù)上述方法,本發(fā)明還提供了一種基于X射線示蹤顆粒的檢測(cè)裝置,包括數(shù)據(jù)預(yù)檢測(cè)單元、X射線檢測(cè)單元以及圖像分析處理單元;
所述數(shù)據(jù)預(yù)檢測(cè)單元包括被檢測(cè)件參數(shù)提取模塊、模擬被檢測(cè)件生成模塊和缺陷生成模擬模塊;被檢測(cè)件參數(shù)提取模塊經(jīng)模擬被檢測(cè)件生成模塊連接缺陷生成模擬模塊;被檢測(cè)件參數(shù)提取模塊用于獲取被檢測(cè)件的參數(shù)信息,并將該參數(shù)信息提供給模擬被檢測(cè)件生成模塊,其中,提取的參數(shù)信息包含元素組成、形狀、尺寸大小及相關(guān)特殊檢測(cè)件的特征數(shù)據(jù);模擬被檢測(cè)件生成模塊根據(jù)接收的參數(shù)信息,建立被檢測(cè)件的理想模型;缺陷生成模擬模塊在被檢測(cè)件理想模型中進(jìn)行各種缺陷模擬,然后對(duì)模擬的缺陷進(jìn)行預(yù)掃描,并根據(jù)預(yù)掃描結(jié)果建立各缺陷對(duì)應(yīng)的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)圖,分別提供給X射線檢測(cè)單元和圖像分析處理單元。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110702896.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)組件、檢測(cè)裝置以及檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法及檢測(cè)程序
- 檢測(cè)電路、檢測(cè)裝置及檢測(cè)系統(tǒng)





