[發明專利]一種LED芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202110702283.4
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113437188A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 張書山;王銳;周弘毅;曹衍燦;李健
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種LED芯片及其制備方法，通過將擴展電極層疊于所述發光結構背離所述襯底的一側表面；所述透明導電層層疊于所述擴展電極背離所述發光結構的一側表面，且所述透明導電層完全覆蓋所述擴展電極或裸露部分所述擴展電極；使透明導電層層疊于擴展電極之上，實現第一電極與擴展電極分層制作，從而實現擴展電極的選擇靈活性，以減少擴展電極對光的吸收，同時可防止擴展電極脫落的現象。

技術領域

本發明涉及發光二極管領域，尤其涉及一種LED芯片及其制備方法。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)是一種能發光的半導體電子元件。LED具有效率高、壽命長、體積小、功耗低等優點，可以應用于室內外白光照明、屏幕顯示、背光源等領域。

為了實現LED芯片的電流擴展，目前LED芯片通常會在發光臺面制作透明導電層后，一體制作電極焊盤及擴展電極，使擴展電極層疊于透明導電層上方，如專利公開號為CN105226177A等現有文獻所示。上述方案中，由于LED芯片的電極焊盤及擴展電極占據LED芯片較大的發光面積，對于芯片遮光及吸光量較大，同時，在發光臺面的頂部制作finger容易脫落。

有鑒于此，本發明人專門設計了一種LED芯片及其制備方法，本案由此產生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種LED芯片及其制備方法，以解決現有技術中LED芯片的擴展電極遮光、吸光以及容易脫落等技術問題。

為了實現上述目的，本發明采用的技術方案如下：

一種LED芯片，包括：

襯底；

設置于所述襯底表面的發光結構；所述發光結構至少包括沿第一方向依次堆疊的第一型半導體層、有源區及第二型半導體層；所述第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述發光結構；

擴展電極，所述擴展電極層疊于所述發光結構背離所述襯底的一側表面；

透明導電層，所述透明導電層層疊于所述擴展電極背離所述發光結構的一側表面；且所述透明導電層完全覆蓋所述擴展電極或裸露部分所述擴展電極；

第一電極，所述第一電極層疊于所述發光結構的表面，并與所述透明導電層或所述擴展電極的裸露部分形成歐姆接觸；

第二電極，所述第二電極與所述第一型半導體層形成歐姆接觸。

優選地，所述LED芯片包括水平結構的LED芯片，則，所述發光結構的局部區域蝕刻至部分所述的第一型半導體層形成凹槽及臺面，所述第二電極通過沉積于所述凹槽與所述第一型半導體層形成歐姆接觸；所述第一電極、擴展電極、透明導電層均設置于所述臺面，且所述第一電極的側壁與所述透明導電層或所述擴展電極的裸露部分形成歐姆接觸。

優選地，所述LED芯片包括垂直結構的LED芯片；則，所述襯底為導電襯底，所述導電襯底作為所述第二電極與所述第一型半導體層形成歐姆接觸。

優選地，在所述發光結構的背離所述襯底的一側表面設有阻擋層，所述阻擋層設于所述第一電極外圍，且所述擴展電極層疊于所述阻擋層背離所述發光結構的一側表面。

優選地，還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述透明導電層及所述發光結構的裸露面。

優選地，所述擴展電極包括Al、Ti、Pt、Ti、Au中的一種或多種金屬堆疊。

優選地，所述擴展電極包括沿所述第一方向依次堆疊的Al層和Ti層，且所述Ti層與所述透明導電層形成接觸。

本發明還提供了一種LED芯片的制備方法，所述制備方法用于實現水平結構的LED芯片的制作，其包括如下步驟：

A1、提供一襯底；