[發明專利]管芯電壓調節

在審

• 申請號: 202110702073.5
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113851156A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 宋澤尚;S·S·馬利克;李賢見;金康永
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C5/06;G11C5/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及管芯電壓調節。裝置可包含第一管芯和第二管芯。在所述第一管芯上生成電壓的組件可以通過導電線連接到所述第二管芯上的電容器。所述導電線可允許所述第二管芯上的所述電容器調節由所述第一管芯上的所述組件生成的電壓。

交叉引用

本申請要求宋(Song)等人于2020年6月25日提交的題為“管芯電壓調節(DIEVOLTAGE REGULATION)”的第63/044,237號美國臨時專利申請和于2021年6月3日提交的題為“管芯電壓調節”的第17/338,458號美國專利申請的優先權，其每一項均轉讓給本申請的受讓人，并且其每一項明確地通過引用整體并入本文。

技術領域

本技術領域涉及管芯電壓調節。

背景技術

存儲器裝置廣泛用于在各種電子裝置(例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等)中存儲信息。通過將存儲器裝置內的存儲器單元編程為各種狀態來存儲信息。例如，可將二進制存儲器單元編程為通常由邏輯1或邏輯0表示的兩種支持狀態中的一者。在一些實例中，單個存儲器單元可支持兩種以上狀態，可以存儲其中的任何一種。為了存取所存儲的信息，組件可讀取或感測存儲器裝置中的至少一種存儲狀態。為了存儲信息，組件可將狀態寫入或編程到存儲器裝置中。

存在各種類型的存儲器裝置和存儲器單元，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、靜態RAM(SRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻性RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)、自選擇存儲器、硫屬化物存儲器技術等。存儲器單元可以是易失性或非易失性的。非易失性存儲器(例如，FeRAM)即使在不存在外部電源的情況下也可以長時間保持其存儲的邏輯狀態。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)在與外部電源斷開連接時可失去其存儲狀態。

發明內容

描述了一種設備。該設備可包含：第一管芯，其包括經配置以生成供第一管芯使用的電壓的組件；第二管芯，其包括易失性存儲器，易失性存儲器包括存儲器單元和與存儲器單元隔離的電容器，其中存儲器單元包括電容器；以及導電線，其耦合第二管芯的電容器和經配置以生成供第一管芯使用的電壓的組件。

描述了一種方法。該方法可包含在布置于第一管芯上的第一組件處生成電壓；使用電容器調節電壓，電容器通過導電線與第一組件耦合且布置在第二管芯上，第二管芯包括包含電容器的多個存儲器單元，其中在電容器與多個存儲器單元隔離的情況下調節電壓；以及將由電容器調節的電壓施加到布置在第一管芯上的一或多個組件。

描述了一種設備。該設備可包含與多個導電墊接觸的襯底；布置在襯底上的絕緣材料；第一管芯，其至少部分地由絕緣材料包圍且通過第一導電線與多個導電墊中的第一導電墊耦合，第一管芯包括經配置以生成用于第一管芯的電壓的組件；第二管芯，其至少部分地由絕緣材料包圍且通過第二導電線與多個導電墊中的第二導電墊耦合，第二管芯包括易失性存儲器，易失性存儲器包括經配置為存儲器單元的多個電容器，并且第二管芯包括與多個電容器隔離的電容器；以及第三導電線，其與經配置以生成用于第一管芯和第二管芯的電容器的電壓的組件耦合，第二管芯的電容器與經配置為存儲器單元的多個電容器隔離。

附圖說明

圖1圖示了根據本文公開的實例的支持管芯電壓調節的系統的實例。

圖2圖示了根據本文公開的實例的支持管芯電壓調節的存儲器子系統的實例。

圖3圖示了根據本文公開的實例的支持管芯電壓調節的裸片的實例。

圖4圖示了根據本文公開的實例的支持管芯電壓調節的裝置的實例。

圖5圖示了根據本文公開的實例的支持管芯電壓調節的裝置的實例。

圖6示出了根據本公開的方面的支持管芯電壓調節的裝置的框圖。