[發(fā)明專利]一種Micro LED芯片及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110699384.0 | 申請日： | 2021-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN113421952A | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉召軍;劉時彪;張胡夢圓;宿志浩;劉亞瑩 | 申請（專利權）人： | 南方科技大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 micro led 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底一側依次形成n型氮化鎵層、量子阱有源層以及p型氮化鎵層；
利用電感耦合等離子體ICP刻蝕技術，去除n電極區(qū)域的所述p型氮化鎵層和所述量子阱有源層，露出n電極區(qū)域的所述n型氮化鎵層；
利用堿性溶液腐蝕部分n電極區(qū)域的所述n型氮化鎵層；
分別在所述p型氮化鎵層和所述n型氮化鎵層遠離所述襯底的一側形成p電極和n電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，所述利用電感耦合等離子體ICP刻蝕技術，去除n電極區(qū)域的所述p型氮化鎵層和所述量子阱有源層，露出n電極區(qū)域的所述n型氮化鎵層包括：
在所述p型氮化鎵層遠離所述襯底的一側形成保護層；
利用干法刻蝕或濕法腐蝕工藝去除n電極區(qū)域的所述保護層；
將樣品放置在ICP刻蝕設備中，采用Cl2和BCl3混合氣體刻蝕n電極區(qū)域的所述p型氮化鎵層和所述量子阱有源層，露出n電極區(qū)域的所述n型氮化鎵層。
3.根據(jù)權利要求2所述的Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，所述保護層包括200nm～300nm厚的二氧化硅層。
4.根據(jù)權利要求2所述的Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，在利用堿性溶液腐蝕部分n電極區(qū)域的所述n型氮化鎵層之前，還包括：
去除n電極區(qū)域之外的區(qū)域的所述保護層。
5.根據(jù)權利要求1所述的Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，所述利用堿性溶液腐蝕部分n電極區(qū)域的所述n型氮化鎵層包括：
量取1mol/L的堿溶液與反應皿中；
將ICP刻蝕后的樣品放入所述反應皿中；
將所述反應皿放入80℃的水浴鍋中維持15min后取出并清洗。
6.根據(jù)權利要求5所述的Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，所述堿溶液包括KOH溶液或TMAH(四甲基氫氧化銨)溶液。
7.根據(jù)權利要求1所述的Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述襯底一側依次形成n型氮化鎵層、量子阱有源層以及p型氮化鎵層之前，還包括：
在所述襯底一側依次形成緩沖層和非摻雜氮化鎵層。
8.根據(jù)權利要求7所述的Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，所述n型氮化鎵層位于所述非摻雜氮化鎵層遠離所述襯底的一側。
9.根據(jù)權利要求1～8任一所述的Micro LED芯片的制備方法，其特征在于，所述n型氮化鎵層的厚度為1500nm～3000nm，所述量子阱有源層的厚度為250nm～400nm，所述p型氮化鎵層的厚度為100nm～300nm。
10.一種Micro LED芯片，其特征在于，所述Micro LED芯片采用權利要求1～9任一所述的制備方法制備。
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