[發明專利]一種具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極在審
| 申請號： | 202110698148.7 | 申請日： | 2021-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN113571390A | 公開（公告）日： | 2021-10-29 |
| 發明（設計）人： | 王曉暉;王振營;張翔;班啟沛;張世博 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01J1/34 | 分類號： | H01J1/34;H01J9/12;H01J40/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 晶格 納米 結構 gan 光電 陰極 | ||
1.一種具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，該陰極自下而上由Al2O3襯底層(1)、生長在襯底上的AlN緩沖層(2)、p型超晶格AlGaN/GaN納米線電子發射層(3)以及Cs/O激活層(4)組成。
2.根據權利要求1所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：Al2O3襯底層(1)采用雙面或單面拋光的c面Al2O3材料，厚度400～600μm。
3.根據權利要求1所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：生長在襯底(1)上的AlN緩沖層(2)為厚度10～100nm。
4.根據權利要求1所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：電子發射層(3)采用AlGaN/GaN超晶格，且在表面采用納米線結構。
5.根據權利要求4所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：電子發射層(3)采用AlGaN/GaN超晶格，厚度為80～300nm，超晶格的重復周期數為4～30個。
6.根據權利要求4所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：電子發射層(3)中單個周期的AlGaN厚度為5～10nm，GaN厚度為5～10nm。
7.根據權利要求4所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：p型摻雜AlGaN/GaN納米線為圓柱形，直徑為3～6nm，相鄰p型摻雜AlGaN/GaN納米線間距為3～6nm。
8.根據權利要求4所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：p型超晶格AlGaN/GaN納米線摻雜元素為Mg，摻雜后AlGaN/GaN材料的空穴濃度為1016～1018cm-3。
9.根據權利要求1所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：Cs/O激活層(4)通過超高真空激活工藝緊密吸附在發電子發射層(3)的表面上。
10.根據權利要求1所述的具有超晶格納米線結構的GaN光電陰極，其特征在于：Cs/O激活層(4)含有1～5個原子層。
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