[發(fā)明專利]一種用于微流控芯片中磁珠精準(zhǔn)自動(dòng)化操縱的磁控裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110697333.4
• 申請(qǐng)日: 2021-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN113304792A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮世倫;李備;胡皓然;趙建龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;長春長光辰英生物科學(xué)儀器有限公司
• 主分類號(hào): B01L3/00
• 分類號(hào): B01L3/00
• 代理公司: 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31233
• 代理人: 錢文斌

本發(fā)明涉及一種用于微流控芯片中磁珠精準(zhǔn)自動(dòng)化操縱的磁控裝置，包括：微流控芯片固定機(jī)構(gòu)，用于固定微流控芯片；永磁體裝載臺(tái)，用于放置永磁體；位移平臺(tái)，用于控制所述永磁體裝載臺(tái)在所述微流控芯片的一面進(jìn)行移動(dòng)，使得所述永磁體在所述位移平臺(tái)的帶動(dòng)下通過磁場作用對(duì)所述微流控芯片中的磁珠進(jìn)行移動(dòng)控制，以及實(shí)現(xiàn)所述磁珠在所述微流控芯片中不同腔室的運(yùn)輸操作。本發(fā)明能夠完成微流控芯片內(nèi)磁珠的精準(zhǔn)富集以及運(yùn)輸操作。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微流控技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于微流控芯片中磁珠精準(zhǔn)自動(dòng)化操縱的磁控裝置。

背景技術(shù)

目前超順磁磁珠廣泛應(yīng)用于各類生命科學(xué)研究，被相關(guān)功能基團(tuán)或抗體/抗原的磁珠結(jié)合相應(yīng)的待研究細(xì)胞、病菌或遺傳物質(zhì)等，可以實(shí)現(xiàn)特定目標(biāo)物在樣品溶液中的運(yùn)輸或者提取等工作。磁珠在外加磁場的作用下實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能，有對(duì)目標(biāo)物溶液影響較小，對(duì)目標(biāo)物無傷害等優(yōu)點(diǎn)。但是目前沒有有效手段解決微流控芯片內(nèi)部微腔/微流道中磁珠精準(zhǔn)運(yùn)輸?shù)膯栴}。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種用于微流控芯片中磁珠精準(zhǔn)自動(dòng)化操縱的磁控裝置，完成微流控芯片內(nèi)磁珠的精準(zhǔn)富集以及運(yùn)輸操作。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：提供一種用于微流控芯片中磁珠精準(zhǔn)自動(dòng)化操縱的磁控裝置，包括：微流控芯片固定機(jī)構(gòu)，用于固定微流控芯片；永磁體裝載臺(tái)，用于放置永磁體；位移平臺(tái)，用于控制所述永磁體裝載臺(tái)在所述微流控芯片的一面進(jìn)行移動(dòng)，使得所述永磁體在所述位移平臺(tái)的帶動(dòng)下通過磁場作用對(duì)所述微流控芯片中的磁珠進(jìn)行移動(dòng)控制，以及實(shí)現(xiàn)所述磁珠在所述微流控芯片中不同腔室的運(yùn)輸操作。

所述永磁體裝載臺(tái)的表面設(shè)置有凹槽，所述凹槽與所述永磁體的尺寸相匹配，用于固定所述永磁體。

所述永磁體裝載臺(tái)與所述微流控芯片之間的間距為1～3mm。

所述永磁體裝載臺(tái)固定在所述位移平臺(tái)上。

所述位移平臺(tái)為二軸或多軸位移平臺(tái)。

所述微流控芯片固定機(jī)構(gòu)包括垂直支撐架、水平支撐架和芯片支撐架，所述水平支撐架的一端與垂直支撐架的一端相連，另一端與所述芯片支撐架的一端相連；所述垂直支撐架的另一端與所述位移平臺(tái)在同一個(gè)水平面上；所述芯片支撐架的另一端用于固定所述微流控芯片。

有益效果

由于采用了上述的技術(shù)方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果：本發(fā)明利用磁場作用，無接觸地操作微流控芯片微腔/微流道內(nèi)的超順磁磁珠，實(shí)現(xiàn)超順磁磁珠在微流控芯片內(nèi)部的富集、移動(dòng)以及運(yùn)輸?shù)炔僮鳎瑹o需外界助力所以隔絕了外部污染；利用自動(dòng)化的手段，減少了人員的操作難度，大大提高了操作的方便程度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施方式中永磁體裝載臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施方式中微流控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施方式中控制位移平臺(tái)實(shí)現(xiàn)磁珠不同腔室間運(yùn)輸?shù)母┮暿疽鈭D；

圖5是本發(fā)明實(shí)施方式中控制位移平臺(tái)實(shí)現(xiàn)磁珠不同腔室間運(yùn)輸?shù)膫?cè)視示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書所限定的范圍。