[發明專利]半導體器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202110696336.6
• 申請日: 2021-06-23
• 公開（公告）號: CN113471275B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 甘程;王欣
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李健

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

襯底；

絕緣層，設置于所述襯底上；

柵極，設置于所述絕緣層上，且所述襯底具有分別位于所述柵極的一側的源區以及漏區；

源極和漏極，分別設置于所述源區以及所述漏區中；

低摻雜結構，設置于所述源區以及所述漏區中；

硅摻雜結構，位于所述低摻雜結構中，所述硅摻雜結構與所述低摻雜結構的摻雜類型不同，且所述硅摻雜結構位于所述柵極與所述源極之間且位于所述柵極與所述漏極之間；

其中，所述柵極與所述硅摻雜結構和所述低摻雜結構在垂直于所述襯底的縱向上的投影面具有重合部分，所述硅摻雜結構與所述源極之間具有間隔且所述硅摻雜結構與所述漏極之間具有間隔。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極和所述漏極具有第一摻雜濃度，所述低摻雜結構具有第二摻雜濃度，所述第一摻雜濃度大于所述第二摻雜濃度，且所述低摻雜結構與所述源極和所述漏極的摻雜類型相同。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述低摻雜結構與所述襯底之間形成有緩變PN結。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述硅摻雜結構與所述源極之間隔著所述低摻雜結構且所述硅摻雜結構與所述漏極之間隔著所述低摻雜結構。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括第一側墻以及第二側墻，所述第一側墻環繞設置于所述柵極的外表面，所述第二側墻環繞設置于所述第一側墻的外表面。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一側墻以及所述第二側墻各包括第一疊層和第二疊層，所述第二疊層設置于所述第一疊層的外表面，且所述第一疊層的材料包括氧化物，所述第二疊層的材料包括氮化物。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極和所述漏極在所述縱向上具有第一深度，所述硅摻雜結構在所述縱向上具有第二深度，所述第一深度大于所述第二深度。

8.根據權利要求1至7任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極在沿平行于所述襯底的橫向上具有第一長度，所述硅摻雜結構在所述橫向上具有第二長度，所述第二長度不小于所述第一長度。

9.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成柵極，且所述襯底具有分別位于所述柵極的一側的源區以及漏區；

在所述源區以及所述漏區中形成低摻雜結構；

在所述低摻雜結構中形成硅摻雜結構，其中，所述硅摻雜結構與所述低摻雜結構的摻雜類型不同，所述柵極與所述硅摻雜結構和所述低摻雜結構在垂直于所述襯底的縱向上的投影面具有重合部分；

在所述源區以及所述漏區中分別形成源極和漏極，其中，所述硅摻雜結構與所述源極之間具有間隔且所述硅摻雜結構與所述漏極之間具有間隔。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，于所述在所述絕緣層上形成柵極的步驟之后，還包括：

在所述柵極的外表面形成第一側墻，所述第一側墻環繞所述柵極；

其中，所述源極和所述漏極具有第一摻雜濃度，所述低摻雜結構具有第二摻雜濃度，所述第一摻雜濃度大于所述第二摻雜濃度，且所述低摻雜結構與所述源極和所述漏極的摻雜類型相同。

11.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，于所述在所述源區以及所述漏區中形成低摻雜結構的步驟之后，還包括：

對所述低摻雜結構進行退火，以使所述低摻雜結構與所述襯底之間形成緩變PN結。