[發明專利]一種憶阻器加載多頻段可調諧寬帶電磁兼容吸波結構有效
| 申請號: | 202110696276.8 | 申請日: | 2021-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN113471708B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發明(設計)人: | 姜超;麻晢乂培;黃小忠 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | H01Q15/00 | 分類號: | H01Q15/00;H01Q17/00 |
| 代理公司: | 長沙永星專利商標事務所(普通合伙) 43001 | 代理人: | 周詠;米中業 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 憶阻器 加載 頻段 調諧 寬帶 電磁 兼容 結構 | ||
1.一種憶阻器加載多頻段可調諧寬帶電磁兼容吸波結構,其特征在于包括介質層(1)、有源憶阻器加載頻率選擇表面(2)、泡沫層(3)和金屬層(4);所述有源憶阻器加載頻率選擇表面(2)包括若干個呈陣列分布的導電單元,該導電單元包括加載直流饋電網絡及電連接于該加載直流饋電網絡正負極間的憶阻器加載導電單元,所述憶阻器加載導電單元由若干憶阻器加載電路并聯而成;
所述的導電單元中,加載直流饋電網絡和憶阻器加載導電單元組成一個對稱圖形,憶阻器加載單元的線寬大于加載直流饋電網絡的線寬,憶阻器加載導電單元上憶阻器的布置方向一致或者相反;
所述的有源憶阻器加載頻率選擇表面(2),具體包括正方形環有源憶阻器加載頻率選擇表面(5);正方形環有源憶阻器加載頻率選擇表面(5)包括N*M個正方形環及饋電導電單元(6);正方形環有源憶阻器加載頻率選擇表面(5)的一端連接負極取電,正方形環有源憶阻器加載頻率選擇表面(5)的另一端連接正極取電;正方形環及饋電導電單元(6)包括第一正方形環憶阻器(7a)、第二正方形環憶阻器(7b)、第三正方形環憶阻器(7c)、第四正方形環憶阻器(7d)、第一正方形環扼流電感(8a)、第二正方形環扼流電感(8b)、第三正方形環扼流電感(8c)和第四正方形環扼流電感(8d);第一正方形環憶阻器(7a)、第二正方形環憶阻器(7b)、第三正方形環憶阻器(7c)和第四正方形環憶阻器(7d)組成正方形環;第一正方形環憶阻器(7a)的一端、第二正方形環憶阻器(7b)的一端、第一正方形環扼流電感(8a)的一端和第二正方形環扼流電感(8b)的一端相互連接,第一正方形環憶阻器(7a)的另一端連接第三正方形環憶阻器(7c)的一端,第二正方形環憶阻器(7b)的另一端連接第四正方形環憶阻器(7d)的一端,第一正方形環扼流電感(8a)的另一端連接其他的正方形環及饋電導電單元并供電,第二正方形環扼流電感(8b)的另一端連接其他的正方形環及饋電導電單元或電源正極并取電;第三正方形環憶阻器(7c)的另一端、第四正方形環憶阻器(7d)的另一端、第三正方形環扼流電感(8c)的一端和第四正方形環扼流電感(8d)的一端相互連接,第三正方形環扼流電感(8c)的另一端連接其他的正方形環及饋電導電單元或電源負極并取電,第四正方形環扼流電感(8d)的另一端連接其他的正方形環及饋電導電單元并供電;正方形環及饋電導電單元(6)為對稱結構;第一正方形環憶阻器(7a)、第二正方形環憶阻器(7b)、第三正方形環憶阻器(7c)和第四正方形環憶阻器(7d)在直流饋電網絡施加的不同偏壓下具有不同大小的電阻時,不同大小的電阻會改變結構在不同頻段的輸入阻抗,從而使反射率的頻率響應隨憶阻器不同偏壓變化而調控;第一正方形環扼流電感(8a)、第二正方形環扼流電感(8b)、第三正方形環扼流電感(8c)和第四正方形環扼流電感(8d)用于分離直流回路和交流感應電流回路。
2.根據權利要求1所述的憶阻器加載多頻段可調諧寬帶電磁兼容吸波結構,其特征在于所述的介質層(1)采用高介電常數板。
3.根據權利要求2所述的憶阻器加載多頻段可調諧寬帶電磁兼容吸波結構,其特征在于所述的有源憶阻器加載頻率選擇表面(2)中,導電單元噴印在柔性膜介質襯底上,并采用導電材料,導電材料包括銅、鋁或碳。
4.根據權利要求3所述的憶阻器加載多頻段可調諧寬帶電磁兼容吸波結構,其特征在于所述的柔性膜介質襯底采用耐溫薄膜,所述的耐溫薄膜包括PET膜、PEN膜、PES膜或PI膜。
5.根據權利要求4所述的憶阻器加載多頻段可調諧寬帶電磁兼容吸波結構,其特征在于所述的泡沫層(3)采用低密度低介電常數發泡材料。
6.根據權利要求5所述的憶阻器加載多頻段可調諧寬帶電磁兼容吸波結構,其特征在于所述的低密度低介電常數發泡材料包括PMI。
7.根據權利要求6所述的憶阻器加載多頻段可調諧寬帶電磁兼容吸波結構,其特征在于所述的扼流電感(8)采用貼片型電感,用于分離直流回路和交流感應電流回路。
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