[發明專利]一種改進型CTLM法測量SiC芯片歐姆接觸電阻率的方法

在審

• 申請號: 202110696255.6
• 申請日: 2021-06-23
• 公開（公告）號: CN113571440A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 錢志成;孫西龍;徐俊;栗銳
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 施昊

1.一種改進型CTLM法測量SiC芯片歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于包括以下步驟：

在SiC芯片的背面生長歐姆金屬層；

在歐姆金屬層上進行刻蝕形成第一CTLM圖形層；

對第一CTLM圖形層進行退火；

在退火后的第一CTLM圖形層上生長導電金屬層；

對導電金屬層進行刻蝕形成與第一CTLM圖形層中測試圖形形狀相同的第二CTLM圖形層；

采用四探針法測量第二CTLM圖形層的電壓和電流，結合第一CTLM圖形層中測試圖形的尺寸計算歐姆接觸電阻率。

2.根據權利要求1所述的改進型CTLM法測量SiC芯片歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于：所述在SiC芯片的背面生長歐姆金屬層包括：在SiC芯片的襯底上摻雜離子，且摻雜的離子為N⁺，摻雜濃度為1x10¹⁸cm^-3～1x10²⁰cm^-3。

3.根據權利要求1所述的改進型CTLM法測量SiC芯片歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于：所述歐姆金屬層的材料為Ni、Ti、Al以及Ni/Al合金中的一種，所述歐姆金屬層的厚度為50nm～200nm。

4.根據權利要求1所述的改進型CTLM法測量SiC芯片歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于：所述第一CTLM圖形層與第二CTLM圖形層中測試圖形數量為4～8個，每個測試圖形的內徑相同，且測試圖形的內徑r為200μm～600μm，外徑R_i＝r+80μm，其中，R_i+1＝R_i+r/10，i≥1，R_i+1為R_i相鄰測試圖形的外徑。

5.根據權利要求1所述的改進型CTLM法測量SiC芯片歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于：所述退火的方式為激光退火或快速熱退火，其中激光退火的能量密度為2J/cm²～8J/cm²，快速熱退火溫度為750℃～1000℃。

6.根據權利要求1所述的改進型CTLM法測量SiC芯片歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于：所述導電金屬層的材料為高導電金屬，厚度為1μm～4μm。

7.根據權利要求1所述的改進型CTLM法測量SiC芯片歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于：所述第一CTLM圖形層中測試圖形的內徑和外徑與第二CTLM圖形層均相差W，且0≤W≤5μm。