[發明專利]一種以羥基磷灰石為載體的低共熔溶劑型分子印跡聚合物及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202110696128.6
• 申請日: 2021-06-18
• 公開（公告）號: CN113248650B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 張艷鴿;孫燕華;姚川;朱兆梅;朱巧玲
• 申請（專利權）人: 許昌學院
• 主分類號: C08F220/20
• 分類號: C08F220/20;C08F220/60;C08F220/56;C08F220/04;C08F220/06;C08F2/44;C08K3/32;C08J9/26;B01J20/26;B01J20/30;B01D15/08;C07C51/47;C07C57/03
• 代理公司: 長沙市融智專利事務所(普通合伙) 43114
• 代理人: 張偉

1.一種以羥基磷灰石為載體的低共熔溶劑型分子印跡聚合物的合成方法，其特征在于：將低共熔溶劑I和低共熔溶劑II以及模板分子加入至羥基磷灰石溶液中，先進行自組裝反應，再加入過硫酸銨溶液和四甲基乙二胺進行聚合反應，聚合反應產物經過洗脫模板分子，即得；

所述低共熔溶劑I由2-甲基丙烯酸羥乙酯和四丁基氯化銨按摩爾比(1～5):1，或咖啡酸、氯化膽堿和甲酸按照摩爾比1:(1～7):(1～8)，或四丁基氯化銨和乙二醇按照摩爾比1：(1～4)，或氯化膽堿、3,4-二羥基苯甲酸和乙二醇按照摩爾比1:1:(1～3)，或氯化膽堿和丙烯酸按照摩爾比1:(1～3)，或(3-丙烯酰胺丙基)三甲基氯化銨和尿素按照摩爾比1:(1～3)，或α-甲基丙烯酸和芐基三乙基氯化銨按照摩爾比(1～5):1反應得到；

所述低共熔溶劑II由(3-丙烯酰胺丙基)三甲基氯化銨和丙烯酰胺按摩爾比1:(1～6)反應得到；

低共熔溶劑I和低共熔溶劑II以及模板分子的用量比例為：200μL：30～100μL：0.10～0.30mmol；

所述模板分子為芥子酸。

2.根據權利要求1所述的一種以羥基磷灰石為載體的低共熔溶劑型分子印跡聚合物的合成方法，其特征在于：低共熔溶劑I、羥基磷灰石溶液、過硫酸銨溶液和四甲基乙二胺的用量比為：200μL：(30～80mL)：(100～300μL)：(100～300μL)；

所述羥基磷灰石溶液為濃度在4～8mg/mL范圍內的PBS緩沖溶液；

所述過硫酸銨溶液的w/v濃度為5～15％。

3.根據權利要求1所述的一種以羥基磷灰石為載體的低共熔溶劑型分子印跡聚合物的合成方法，其特征在于：所述自組裝反應的條件為：在室溫下反應1～3小時。

4.根據權利要求1所述的一種以羥基磷灰石為載體的低共熔溶劑型分子印跡聚合物的合成方法，其特征在于：所述聚合反應的條件為：在室溫下反應18～30小時。

5.一種以羥基磷灰石為載體的低共熔溶劑型分子印跡聚合物，其特征在于：由權利要求1～4任一項所述合成方法得到。

6.權利要求5所述的一種以羥基磷灰石為載體的低共熔溶劑型分子印跡聚合物的應用，其特征在于：應用于吸附和分離與模板分子相同的目標物質。