[發明專利]一種用于MPCVD金剛石的制備裝置在審
| 申請號: | 202110695694.5 | 申請日: | 2021-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN113416947A | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發明(設計)人: | 劉宏明;任澤陽;李升 | 申請(專利權)人: | 浙江鴻芯科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54;C23C16/27;C23C16/02;C23C16/511 |
| 代理公司: | 北京華際知識產權代理有限公司 11676 | 代理人: | 黃永蘭 |
| 地址: | 313000 浙江省湖州市吳興區高*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 mpcvd 金剛石 制備 裝置 | ||
1.一種用于MPCVD金剛石的制備裝置,包括底座(10),其特征在于:所述底座(10)的底面設置基底物預處理機構,所述基底物預處理機構包括固定桿(23)、弧片一(24)、弧片二(25)、圓環(26)和連桿(27),所述固定桿(23)為實心圓柱體,固定桿(23)的上端面與底座(10)底面固定連接,所述固定桿(23)和弧片一(24)的均與固定桿(23)的圓周面轉動連接,所述圓環(26)與弧片一(24)的滑動連接,所述連桿(27)與圓環(26)固定連接,弧片一(24)和弧片二(25)的水平截面均為花瓣狀,連桿(27)通過基底物再處理機構與底座(10)活動連接,所述基底物再處理機構包括撥動桿(15)、推動塊(16)、翅片一(19)和轉動槽(22),所述推動塊(16)與底座(10)滑動鏈接,底座(10)上開設轉動槽(22),所述撥動桿(15)穿過轉動槽(22)且撥動桿(15)與底座(10)轉動連接,撥動桿(15)位于底座(10)外的一端與翅片一(19)固定連接,撥動桿(15)位于底座(10)內的一端與推動塊(16)嚙合,所述翅片一(19)的水平截面為月牙形,底座(10)上還設置深度調節機構。
2.根據權利要求1所述的一種用于MPCVD金剛石的制備裝置,其特征在于:所述深度調節機構包括豎直頂桿(28)、齒輪(32)和豎板(33),所述豎板(33)的橫向截面為矩形,豎板(33)中心處開設長方形槽,豎板(33)的內左側壁和內右側壁均開設齒口,所述齒輪(32)位于豎板(33)的長方形槽內且齒輪(32)只有半圈齒牙,所述豎直頂桿(28)與底座(10)底面固定連接,豎直頂桿(28)的底面與豎板(33)的外頂面轉動連接。
3.根據權利要求2所述的一種用于MPCVD金剛石的制備裝置,其特征在于:所述弧片二(25)和弧片一(24)的數量均為六,六個弧片一(24)均與固定桿(23)的側壁轉動連接,六個弧片二(25)均與固定桿(23)的側壁轉動連接,各個弧片二(25)位于各個弧片一(24)的上方,六個弧片一(24)和六個弧片二(25)均在固定桿(23)上等分設置,弧片一(24)和弧片二(25)交錯設置。
4.根據權利要求3所述的一種用于MPCVD金剛石的制備裝置,其特征在于:所述基底物預處理機構還包括翅片二(20)和翅片三(21),底座(10)的水平截面為兩個弓形組成的共同體,底座(10)的圓周面上開設轉動槽(22),所述轉動槽(22)的數量為六,其中三個轉動槽(22)位于底座(10)的右半部分圓周面上,位于底座(10)右半部分圓周面上的三個轉動槽(22)靠近底座(10)的后沿,另外三個轉動槽(22)開設在底座(10)的左半部分圓周面上,位于底座(10)左半部分圓周面上的三個轉動槽(22)靠近底座(10)的前沿,所述翅片二(20)和翅片三(21)依次穿過轉動槽(22)且翅片二(20)和翅片三(21)與底座(10)位于底座(10)的同一側,翅片二(20)和翅片三(21)均以上述相同方式與推動塊(16)活動連接。
5.根據權利要求4所述的一種用于MPCVD金剛石的制備裝置,其特征在于:所述所述推動塊(16)的數量為二,兩個推動塊(16)上以上述相同方式設置相同的撥動桿(15),翅片一(19)、翅片二(20)和翅片三(21),所述翅片二(20)和翅片三(21)的水平截面均為弓形。
6.根據權利要求5所述的一種用于MPCVD金剛石的制備裝置,其特征在于:所述基底物再處理機構還包括豎管(29)、螺旋槽(30)和滾珠(31),所述豎管(29)為兩端開口的空心圓管,豎管(29)內壁開設螺旋槽(30),所述螺旋槽(30)為螺旋狀,所述滾珠(31)與豎直頂桿(28)的側壁固定連接且滾珠(31)位于螺旋槽(30)內,所述連桿(27)與豎管(29)的外圓周面固定連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





