[發明專利]復合終端結構及其制備方法

有效

• 申請號: 202110695000.8
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN113314599B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 李偉聰;林泳浩;姜春亮;王雯沁
• 申請（專利權）人: 珠海市浩辰半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/06
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 劉自麗

1.一種復合終端結構，其特征在于，包括：

N+型半導體襯底；

N-型半導體漂移區，設于所述N+型半導體襯底的上表面，包括P型半導體場限環、P-型半導體VLD區和N+型半導體場限環，所述P型半導體場限環、P-型半導體VLD區和N+型半導體場限環分別自所述N-型半導體漂移區的上表面向內部延伸，所述P型半導體場限環的一側面與所述N-型半導體漂移區的一側面齊平，所述P-型半導體VLD區的一側面與所述P型半導體場限環的部分另一側面共面，所述P-型半導體VLD區與所述N+型半導體場限環之間有間隙，所述N+型半導體場限環的一側面與所述N-型半導體漂移區的另一側面齊平；所述P-型半導體VLD區中的摻雜離子的濃度小于所述P型半導體場限環中的摻雜離子的濃度；

絕緣介質層，設于所述N-型半導體漂移區的上表面，分別與所述P型半導體場限環的部分上表面、所述P-型半導體VLD區的部分上表面和所述N+型半導體場限環的部分上表面接觸，與所述P-型半導體VLD區的接觸區設有一個或多個接觸孔；

陽極，自所述P型半導體場限環的上表面向外延伸，覆蓋所述絕緣介質層的一側面和部分上表面；

間隔的多個第一場板，自所述P-型半導體VLD區的上表面向外延伸，所述第一場板覆蓋所述絕緣介質層的部分上表面并填充所述接觸孔，最靠近所述陽極的第一場板與所述陽極之間有間隙；所述多個第一場板通過所述P-型半導體VLD區連接；

金屬場板，與所述陽極相對設置，自所述N+型半導體場限環的上表面向外延伸，覆蓋所述絕緣介質層的另一側面和部分上表面，與最靠近所述金屬場板的第一場板之間有間隙；

陰極，設于所述N+型半導體襯底的底面。

2.根據權利要求1所述的復合終端結構，其特征在于，所述第一場板為金屬場板或多晶硅場板。

3.根據權利要求1所述的復合終端結構，其特征在于，所述P-型半導體VLD區中的摻雜離子的濃度沿第一方向逐漸減小，所述第一方向為N-型半導體漂移區的寬度方向。

4.根據權利要求3所述的復合終端結構，其特征在于，所述P-型半導體VLD區由多個P-型子VLD區組成，相鄰的P-型子VLD區的側面共面，各個P-型子VLD區的深度沿所述第一方向逐漸減小。

5.根據權利要求1所述的復合終端結構，其特征在于，所述絕緣介質層包括氧化層，所述氧化層為二氧化硅層。

6.根據權利要求5所述的復合終端結構，其特征在于，所述絕緣介質層還包括鈍化層，設于所述氧化層的上表面，所述鈍化層為氮化硅層。

7.根據權利要求1所述的復合終端結構，其特征在于，所述復合終端結構還包括P-型半導體摻雜區，設于所述N+型半導體襯底與所述陰極之間。

8.根據權利要求7所述的復合終端結構，其特征在于，所述P-型半導體摻雜區中的摻雜離子、所述P型半導體場限環中的摻雜離子和所述P-型半導體VLD區中的摻雜離子相同，所述P-型半導體摻雜區中的摻雜離子的濃度小于所述P型半導體場限環中的摻雜離子的濃度且大于所述P-型半導體VLD區中的摻雜離子的濃度。