[發明專利]陣列基板、OLED顯示面板、顯示裝置及成像控制方法在審
| 申請號: | 202110693123.8 | 申請日: | 2021-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN113437123A | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發明(設計)人: | 邢汝博;米磊;李洪瑞 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;臧建明 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 oled 顯示 面板 顯示裝置 成像 控制 方法 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板至少具有兩個圖像采集區;
每個圖像采集區包括透光區和遮光區,外界光透過其中一個所述圖像采集區形成的成像圖案與透過另一個所述圖像采集區形成的成像圖案互補;
其中與所述透光區相連的像素驅動電路分布于所述透光區的范圍之外。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,各個所述圖像采集區的外輪廓形狀相同,各個所述圖像采集區的所述透光區按對應位置拼接形成的圖案的外輪廓與任一個所述圖像采集區的外輪廓形狀相同。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述圖像采集區包括多個所述遮光區,多個所述遮光區相互間隔設置;
優選的,所述透光區和所述遮光區均呈長條形,多個所述透光區和多個所述遮光區相互交替設置;
優選的,所述透光區的寬度大于所述遮光區的寬度。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述圖像采集區包括多個所述遮光區,所述遮光區呈方形,多個所述遮光區在所述圖像采集區的分布呈馬賽克狀。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,在同一行或同一列中,相鄰的所述遮光區之間的距離大于所述遮光區的邊長。
6.根據權利要求1至5任一項所述的陣列基板,其特征在于,與所述透光區相連的像素驅動電路位于所述遮光區;和/或,
所述像素驅動電路通過透明導線連接至所述透光區。
7.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1至6任一項所述的陣列基板。
8.根據權利要求7所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述陣列基板至少具有兩個圖像采集區,以及與各所述圖像采集區鄰接的主顯示區;
所述OLED顯示面板包括設置于所述陣列基板上的多個像素單元,位于所述主顯示區的像素單元的密度與位于所述圖像采集區的像素單元的密度相同。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求7或8所述的OLED顯示面板以及設置于所述OLED顯示面板背面的多個成像模組,各個所述成像模組與各所述圖像采集區一一對應,用于捕獲透過所述圖像采集區的外界光。
10.一種顯示裝置的成像控制方法,其特征在于,所述顯示裝置為如權利要求9所述的顯示裝置,所述成像控制方法包括:
獲取各成像模組形成的成像圖案;
對各所述成像圖案合成處理,生成完整圖像。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





