[發明專利]半色調掩膜板、顯示基板的制作方法及顯示基板

在審

• 申請號: 202110692445.0
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN113419399A
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 余雪;徐姍姍;李梁梁;邱文彪;林濱;付婉霞;席文星
• 申請（專利權）人: 福州京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F1/40
• 分類號: G03F1/40
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;馮建基

本發明提供一種半色調掩膜板，所述半色調掩膜板包括金屬遮光圖形，所述金屬遮光圖形包括多個圖形部，所述金屬遮光圖形還包括靜電釋放導線，至少一對相鄰的圖形部之間連接有所述靜電釋放導線，對于至少一對被所述靜電釋放導線電連接的圖形部而言，至少其中一個圖形部包括圖形部本體和形成在所述圖形部本體的邊緣處的缺口，所述靜電釋放導線的端部伸入所述缺口中，并與所述圖形部本體電連接。通過半色調掩膜板上的缺口結構，能夠降低半色調掩膜板本身的ESD風險，且能改善曝光后顯示基板金屬圖形上的毛刺影響，也降低了多層搭接場景由于毛刺引起的ESD風險。本發明還提供一種使用所述半色調掩膜板的顯示基板的制作方法及一種由所述方法制得的顯示基板。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種半色調掩膜板、一種使用所述半色調掩膜板的顯示基板的制作方法及一種由所述制作方法制得的顯示基板。

背景技術

由于產能提升，半色調掩膜板(HTM，Half Tone Mask)在薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)顯示制程中使用率越來越高。為了實現TFT-LCD的產品性能提升，陣列基板行驅動(GOA，Gate Driver on Array)間距的設計極限在逐漸減小，用于生產GOA單元的掩膜板在TFT-LCD顯示區外圍會有大量的金屬走線，其線寬粗細不均，易出現尖端放電，導致靜電放電(ESD，Electro-StaticDischarge)。這種靜電放電會導致由此掩膜板生產出的每個TFT-LCD的顯示基板都出現周期性不良，降低了產品良率。

發明內容

本發明實施例提供一種半色調掩膜板、顯示基板的制作方法及顯示基板。

作為本發明的第一方面，本發明實施例提供一種半色調掩膜板，所述半色調掩膜板包括金屬遮光圖形，所述金屬遮光圖形包括多個圖形部，所述金屬遮光圖形還包括靜電釋放導線，至少一對相鄰的圖形部之間連接有所述靜電釋放導線，對于至少一對被所述靜電釋放導線電連接的圖形部而言，至少其中一個圖形部包括圖形部本體和形成在所述圖形部本體的邊緣處的缺口，所述靜電釋放導線的端部伸入所述缺口中，并與所述圖形部本體電連接。

在一些實施例中，所述圖形部包括用于形成金屬走線的線形圖形部和用于形成金屬塊的塊狀圖形部。

在一些實施例中，所述缺口為矩形凹槽。

進一步地，所述缺口的短邊的尺寸在1μm至2μm之間。

進一步地，所述缺口的長邊的尺寸在2.5μm至3.5μm之間。

在一些實施例中，所述靜電釋放導線包括第一釋放導線和第二釋放導線，所述圖形部包括第一圖形部和第二圖形部，所述第一釋放導線的一端與所述第一圖形部電連接，所述第一釋放導線的另一端與所述第二釋放導線的一端電連接，所述第二釋放導線的另一端與相鄰的第二圖形部電連接，所述第一釋放導線的長度方向與所述第二釋放導線的長度方向相交。

在一些實施例中，所述第一釋放導線的長度方向與所述第二釋放導線的長度方向垂直。

在一些實施例中，所述靜電釋放導線上最細部位的寬度不超過1.0μm。

作為本發明的第二方面，本發明實施例提供一種顯示基板的制造方法，包括：

利用本發明第一方面所提供的半色調掩膜板對顯示基板的金屬圖形層進行構圖，以獲得金屬圖形層。

作為本發明的第三方面，本發明實施例提供一種顯示面板，該顯示面板包括顯示基板，所述顯示基板為本發明第二個方面所提供的顯示基板的制造方法制得。