[發明專利]一種基于長周期光柵的模斑轉換器有效
| 申請號： | 202110692353.2 | 申請日： | 2021-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN113376743B | 公開（公告）日： | 2022-12-13 |
| 發明（設計）人： | 陳開鑫;鄧佳瑤;余夏蓉;王夢柯 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02B6/14 | 分類號： | G02B6/14;G02B6/124 |
| 代理公司： | 北京正華智誠專利代理事務所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 李林合 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 周期 光柵 轉換器 | ||
1.一種基于長周期光柵的模斑轉換器，其特征在于，從下到上依次包括：基底（1）、緩沖層（2）、高折射率波導芯（3）、長周期光柵（4）和低折射率上包層條形波導（5）；
所述緩沖層（2）的一面與基底（1）固定連接，其另一相對面與高折射率波導芯（3）的一面固定連接；所述高折射率波導芯（3）的另一相對面用于刻蝕，得到長周期光柵（4）；所述高折射率波導芯（3）的另一相對面和長周期光柵（4）均與低折射率上包層條形波導（5）固定連接；所述低折射率上包層條形波導（5）包裹長周期光柵（4），所述低折射率上包層條形波導（5）對準光纖；
所述低折射率上包層條形波導（5）用于將光纖激發出的基模光信號傳輸至長周期光柵（4），所述長周期光柵（4）用于將輸入的基模光信號耦合傳輸至高折射率波導芯（3），所述高折射率波導芯（3）用于將輸入的基模光信號穩定傳輸進入光子芯片。
2.根據權利要求1所述的基于長周期光柵的模斑轉換器，其特征在于，所述高折射率波導芯（3）的類型為脊型波導結構。
3.根據權利要求1所述的基于長周期光柵的模斑轉換器，其特征在于，所述刻蝕的工藝包括：電感耦合等離子體工藝。
4.根據權利要求1所述的基于長周期光柵的模斑轉換器，其特征在于，所述長周期光柵（4）包括：多個光刻柵體（41）和多個凹槽（42）；所述光刻柵體（41）和凹槽（42）的數量相同，并交叉成周期排列，一個光刻柵體（41）和其相鄰的一個凹槽（42）構成一個周期。
5.根據權利要求4所述的基于長周期光柵的模斑轉換器，其特征在于，在模斑轉換器的輸入端輸入到低折射率上包層條形波導（5）中光信號經長周期光柵（4）耦合進入高折射率波導芯（3），成為該高折射率波導芯（3）支持的模式。
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