[發(fā)明專利]場效應(yīng)晶體管及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110692352.8
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN113497152A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李泓緯;馬禮修;楊世海;林佑明
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L21/34;H01L23/528;H01L21/768;H01L27/11509;H01L27/11592;H01L27/22;H01L27/24
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種場效應(yīng)晶體管，包括：

有源區(qū)對，在溝道層上方；

溝道區(qū)，形成在所述溝道層中并位于所述有源區(qū)對之間；以及

接觸通孔結(jié)構(gòu)對，電連接至所述有源區(qū)對，其中，所述有源區(qū)對與所述接觸通孔結(jié)構(gòu)自對準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，其中，所述有源區(qū)對包括自對準(zhǔn)的n⁺型摻雜區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，還包括布置在所述接觸通孔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的自對準(zhǔn)鈍化保護(hù)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的場效應(yīng)晶體管，還包括位于所述溝道層與形成在所述溝道層上方的層間介電層之間的下鈍化保護(hù)層，其中，所述下鈍化保護(hù)層與所述自對準(zhǔn)鈍化保護(hù)層包括相同的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，其中，所述有源區(qū)對布置在所述溝道層的頂面上以及所述接觸通孔結(jié)構(gòu)的底面上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管，其中，所述溝道層包括銦鎵鋅氧化物，并且所述有源區(qū)對包括AlO_x-InO_x-ZnO_x。

7.一種場效應(yīng)晶體管，包括：

接觸通孔結(jié)構(gòu)對；

有源區(qū)對，電連接至所述接觸通孔結(jié)構(gòu)對，從而形成有源區(qū)對堆疊，其中，所述有源區(qū)對與所述接觸通孔結(jié)構(gòu)自對準(zhǔn)；以及

溝道區(qū)，形成在所述溝道層中并位于所述有源區(qū)對之間，其中，所述有源區(qū)對布置在所述溝道層的底面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的場效應(yīng)晶體管，其中，所述有源區(qū)對堆疊在三個側(cè)由所述溝道層界定。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的場效應(yīng)晶體管，其中，所述有源區(qū)對包括自對準(zhǔn)的n⁺型摻雜區(qū)。

10.一種制造場效應(yīng)晶體管的方法，包括：

在緩沖層上方的溝槽中沉積字線；

在所述字線上方沉積柵極介電層；

在所述柵極介電層上方沉積半導(dǎo)體溝道層；

對所述半導(dǎo)體溝道層和所述柵極介電層進(jìn)行圖案化；

在所述半導(dǎo)體溝道層上方沉積金屬層，其中，所述金屬層與所述半導(dǎo)體溝道層直接接觸；

對與所述半導(dǎo)體溝道層直接接觸的所述金屬層進(jìn)行退火以形成有源區(qū)；以及

形成接觸通孔結(jié)構(gòu)，其中，所述有源區(qū)與所述接觸通孔結(jié)構(gòu)自對準(zhǔn)。