[發明專利]一種固態硬盤擦除方法、裝置和固態硬盤

有效

• 申請號: 202110692137.8
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN113140250B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 王者偉;金明松;馮晨;姚亮
• 申請（專利權）人: 北京智芯微電子科技有限公司;國網思極紫光（青島）微電子科技有限公司;國家電網有限公司;國網信息通信產業集團有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/34;G11C7/04;G06F3/06
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;王曉曉

本發明實施例提供了一種固態硬盤擦除方法、裝置和固態硬盤，該方法包括獲取閃存芯片的數據量閾值和待擦數據塊中的數據量；根據所述數據量閾值和所述數據量，確定是否增加擦除深度。本發明解決了固態硬盤在高溫淺擦除后，低溫讀取失敗的問題，進一步增強了高低溫轉換場景下的固態硬盤擦除的可靠性。

技術領域

本發明涉及計算機存儲技術領域，具體地涉及一種固態硬盤擦除方法、裝置和固態硬盤。

背景技術

固態硬盤中的閃存芯片對于溫度非常敏感，在某些極端場景下，可能會出現高低溫轉換時數據讀取錯誤?，F有技術通過擦除算法將存儲單元的閾值電壓壓低到參考電壓以下，針對跨溫度應用主要采用溫度補償算法。溫度補償算法可以彌補部分溫度變化引起的數據漂移，但未能徹底解決高溫下淺擦除后的風險，在極端跨溫度場景下仍然有數據出錯的風險。

發明內容

本發明實施例的目的是一種固態硬盤擦除方法、裝置和固態硬盤。

固態硬盤（簡稱SSD）內部主要由主控芯片和多顆閃存芯片組成，其中閃存芯片是數據存儲的載體，主控芯片負責管理對外接口，讀寫算法優化，以及閃存管理等?，F有技術通過擦除算法將存儲單元的閾值電壓壓低到參考電壓以下，針對跨溫度應用主要采用溫度補償算法。溫度補償算法可以彌補部分溫度變化引起的數據漂移，但未能徹底解決高溫下淺擦除后的風險。

為了解決上述問題，本發明提出了一種固態硬盤擦除方法，包括：獲取閃存芯片的數據量閾值和待擦數據塊中的數據量；根據所述數據量閾值和所述數據量，確定是否增加擦除深度。

可選的，接收到用戶塊擦除指令后，獲取待擦數據塊中的數據量，如果所述數據量小于所述數據量閾值，則在擦除校驗通過后增加擦除深度。

可選的，通過增加至少一個擦除脈沖來增加擦除深度。

可選的，根據閃存芯片的特征確定所述數據量閾值，所述特征至少包括芯片工藝和芯片設計。

相應的，本發明實施例還提供一種固態硬盤擦除裝置，其特征在于，包括：信息獲取裝置，用于獲取閃存芯片的數據量閾值和待擦數據塊中的數據量；處理裝置，用于根據所述數據量閾值和數據量確定是否增加擦除深度。

可選的，接收到用戶塊擦除指令后，獲取待擦數據塊中的數據量，如果所述數據量小于所述數據量閾值，則在擦除校驗通過后增加擦除深度。

可選的，通過增加至少一個擦除脈沖來增加擦除深度。

可選的，根據閃存芯片的特征確定所述數據量閾值，所述特征至少包括芯片工藝、芯片設計。

相應的，本發明實施例還提供一種固態硬盤，其特征在于，至少包括閃存芯片和上述任意一項所述的固態硬盤擦除裝置。

相應的，本發明實施例還提供一種機器可讀存儲介質，其特征在于，該機器可讀存儲介質上存儲有指令，該指令使得機器執行根據上述所述中任意一項所述的固態硬盤擦除方法。

目前市場上的閃存產品主要為3D TLC，存儲單元（簡稱cell）的閾值電壓（簡稱Vt）對溫度非常敏感，所以SSD產品對溫度也表現出很高的敏感性，必須通過算法來優化SSD的擦寫特性和溫度特性，從而提高產品壽命以及數據可靠性。

本發明提出的固態硬盤擦除方法和裝置，包括：獲取閃存芯片的數據量閾值和待擦數據塊中的數據量；根據所述數據量閾值和所述數據量，確定是否增加擦除深度。本發明解決了固態硬盤在高溫淺擦除后，低溫讀取失敗的問題，進一步增強了高低溫轉換場景下的固態硬盤擦除的可靠性。

本發明實施例的其它特征和優點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。

附圖說明

附圖是用來提供對本發明實施例的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發明實施例，但并不構成對本發明實施例的限制。在附圖中：