[發(fā)明專利]顯示面板、制備顯示面板的方法以及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110691627.6 | 申請日: | 2021-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN113421889A | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王明 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙麗婷 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板的一側具有背板電路結構;
對位標記,所述對位標記位于所述基板上具有所述背板電路結構的一側并位于所述基板的邊緣處,所述對位標記遠離所述基板的一側具有保護層。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述背板電路結構包括:
遮光金屬層,所述遮光金屬層位于所述基板的一側;
有源層,所述有源層位于所述遮光金屬層遠離所述基板的一側;
柵絕緣層,所述柵絕緣層位于所述有源層遠離所述遮光金屬層的一側;
柵極,所述柵極位于所述柵絕緣層遠離所述有源層的一側;
層間介質層,所述層間介質層位于所述柵絕緣層遠離所述基板的一側并覆蓋所述柵極的表面;
源極和漏極,所述源極和漏極位于所述層間介質層遠離所述基板的一側,并通過過孔與所述有源層相連;
平坦化層,所述平坦化層位于所述源極和漏極遠離所述基板的一側;
所述對位標記和所述遮光金屬層同層同材料設置。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述背板電路結構包括:
柵極以及柵絕緣層,所述柵極位于所述基板的一側,所述柵絕緣層位于所述柵極遠離所述基板的一側;
有源層,所述有源層位于所述柵絕緣層遠離所述基板的一側;
層間介質層,所述層間介質層位于所述有源層遠離所述柵絕緣層的一側并覆蓋所述有源層;
源極和漏極,所述源極和漏極位于所述層間介質層遠離所述基板的一側,并通過過孔與所述有源層相連;
平坦化層,所述平坦化層位于所述源極和漏極遠離所述基板的一側;
所述對位標記和所述柵極同層同材料設置。
4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述保護層在所述基板上的正投影覆蓋所述對位標記在所述基板上的正投影。
5.根據(jù)權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,形成所述保護層的材料包括透明導電氧化物、金和銀中的至少一種。
6.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述對位標記靠近所述背板電路結構一側的邊緣,和所述基板的邊緣之間的距離不大于10mm。
7.一種制備權利要求1-6所述的顯示面板的方法,其特征在于,包括:
在所述基板上形成所述背板電路結構以及所述對位標記,所述對位標記位于所述基板上具有所述背板電路結構的一側并位于所述基板的邊緣處,
并在所述對位標記遠離所述基板的一側形成保護層。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法,其特征在于,包括:
在所述基板上沉積遮光金屬材料,并在所述遮光金屬材料遠離所述基板的一側沉積保護層材料;
刻蝕所述保護層材料以形成所述保護層;
刻蝕所述遮光金屬材料,以基于所述遮光金屬材料形成所述對位標記以及遮光金屬層,并使所述保護層在所述基板的正投影覆蓋所述對位標記在所述基板的正投影。
9.根據(jù)權利要求7所述的方法,其特征在于,包括:
在所述基板上沉積柵金屬材料,并在所述柵金屬材料遠離所述基板的一側沉積保護層材料;
刻蝕所述保護層材料以形成所述保護層;
刻蝕所述柵金屬材料,以基于所述柵金屬材料形成所述對位標記以及柵極,并使所述保護層在在所述基板的正投影覆蓋所述對位標記在所述基板的正投影。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-6任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





