[發明專利]垂直互連結構及其制造方法在審
| 申請號: | 202110691142.7 | 申請日: | 2021-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN115513125A | 公開(公告)日: | 2022-12-23 |
| 發明(設計)人: | 魏瀟赟;朱江波;代兵;孫華銳;鄧抄軍 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司;哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 顏晶 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 互連 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種垂直互連結構的制造方法,其特征在于,包括:
提供金剛石襯底(10),所述金剛石襯底(10)具有孔(10a);
在所述孔(10a)中形成導電柱(20),所述導電柱(20)與孔壁接觸的表面的材料為鈦、鎢、錳、鐵、鉻、鎳、鉑、金、銀中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述在所述孔(10a)中形成導電柱(20),包括:
在所述孔(10a)中填充金屬漿料(30),所述金屬漿料(30)包括金屬顆粒(301),所述金屬顆粒(301)的材料包括鈦、鎢、錳、鐵、鉻、鎳、鉑、金、銀中的一種或多種;
對填充有所述金屬漿料(30)的所述金剛石襯底(10)進行燒結,在所述孔(10a)中形成所述導電柱(20)。
3.根據權利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述在所述孔(10a)中形成導電柱(20),包括:
在所述孔壁形成過渡層(50),所述過渡層(50)的材料包括鈦、鎢、錳、鐵、鉻、鎳、鉑、金、銀中的一種或多種;
在所述孔(10a)中填充金屬漿料(30),所述金屬漿料(30)包括金屬顆粒(301);
對填充有所述金屬漿料(30)的所述金剛石襯底(10)進行燒結,在所述孔(10a)中形成所述導電柱(20)。
4.根據權利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述過渡層(50)包括依次形成的鈦層(51)、鉑層(52)和金層(53)。
5.根據權利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述金屬顆粒(301)的材料包括鈦、鎢、錳、鐵、鉻、鎳、鉑、金、銀中的一種或多種。
6.根據權利要求2~5任一項所述的制造方法,其特征在于,所述金屬顆粒(301)的粒徑為10nm~1000nm。
7.根據權利要求2~6任一項所述的制造方法,其特征在于,所述金屬漿料(30)的溶劑為醇類、酚醛類、水中的至少一種。
8.根據權利要求2~7任一項所述的制造方法,其特征在于,所述金屬漿料(30)中,所述金屬顆粒(301)的體積占比為60%~80%。
9.根據權利要求2~8任一項所述的制造方法,其特征在于,燒結溫度小于等于120℃。
10.根據權利要求1~9任一項所述的制造方法,其特征在于,所述孔(10a)包括通孔和盲孔中的至少一種。
11.一種垂直互連結構,其特征在于,所述垂直互連結構采用如權利要求1~10任一項所述的制造方法制造。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





