[發明專利]MZ型光強度調制器總成及制備方法

在審

• 申請號: 202110690268.2
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN113281945A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 李俊慧;王旭陽
• 申請（專利權）人: 北京世維通科技股份有限公司
• 主分類號: G02F1/21
• 分類號: G02F1/21;G02F1/225;G02F1/01
• 代理公司: 北京信諾創成知識產權代理有限公司 11728
• 代理人: 任萬玲;楊仁波

1.一種MZ型光強度調制器總成，包括MZ型光強度調制器，所述MZ型光強度調制器包括芯片以及固定于所述芯片上的波導組件和多個偏置電極，其特征在于，還包括：

交換波導，所述交換波導設置于所述波導組件的輸出直波導的至少一側，且內嵌于所述芯片表面；

光柵組件，所述光柵組件與所述交換波導一一對應，且與所述交換波導背向所述芯片的一側表面固定連接；

光電探測器，所述光電探測器與一個所述光柵組件固定連接；

控制器，所述控制器的輸入端與所述光電探測器的輸出端通信連接，以接收所述光電探測器輸出的電流數據，所述控制器的輸出端與所述偏置電極的被控端通信連接，以根據所述電流數據的變化控制調整所述偏置電極的偏置電壓。

2.根據權利要求1所述的MZ型光強度調制器總成，其特征在于，還包括：

封裝盒，所述MZ型光強度調制器、所述交換波導、所述光柵組件與所述光電探測器均設置于所述封裝盒內。

3.根據權利要求2所述的MZ型光強度調制器總成，其特征在于，還包括：

引針，所述引針貫穿所述封裝盒，所述引針的相對兩端分別與所述光電探測器的輸出端以及所述控制器的輸入端通信連接。

4.根據權利要求1-3任一項所述的MZ型光強度調制器總成，其特征在于：

所述交換波導在背向所述芯片的一側表面通過刻蝕獲取所述光柵組件。

5.根據權利要求1-3任一項所述的MZ型光強度調制器總成，其特征在于：

所述光柵組件背向所述交換波導的一側設置有膠粘層。

6.根據權利要求1-3任一項所述的MZ型光強度調制器總成，其特征在于：

所述芯片設置為鈮酸鋰芯片。

7.根據權利要求2或3所述的MZ型光強度調制器總成，其特征在于，還包括：

輸入光纖，所述輸入光纖貫穿所述封裝盒，所述輸入光纖的輸出端與所述波導組件的輸入直波導的輸入端耦合連接。

8.根據權利要求2或3所述的MZ型光強度調制器總成，其特征在于，還包括：

輸出光纖，所述輸出光纖貫穿所述封裝盒，所述輸出光纖的輸入端與所述輸出直波導的輸出端耦合連接。

9.根據權利要求8所述的MZ型光強度調制器總成，其特征在于，還包括：

光功率計，所述光功率計的輸入端與所述輸出光纖的輸出端連接。

10.一種制備如權利要求1-9任一項所述的MZ型光強度調制器總成的方法，其特征在于，包括如下步驟：

在MZ型光強度調制器的輸出直波導的至少一側設置交換波導，使所述交換波導內嵌于MZ型光強度調制器的芯片表面；

在所述交換波導背向所述芯片的一側表面固定連接光柵組件；

在所述光柵組件表面固定連接光電探測器；

將所述光電探測器的輸出端與控制器的輸入端通信連接，將所述控制器的輸出端與MZ型光強度調制器的偏置電極的被控端通信連接。