[發明專利]降低硅片金屬雜質的方法在審
| 申請號： | 202110690063.4 | 申請日： | 2021-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN113506733A | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發明（設計）人： | 周星星;鄭剛;張召 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 硅片 金屬 雜質 方法 | ||
1.一種降低硅片金屬雜質的方法，其特征在于，所述方法在進行器件制造工藝之前進行，所述降低硅片金屬雜質的方法包括以下步驟：
提供硅片本體；
通過熱退火工藝使得所述硅片本體的表層被氧化形成氧化層，所述氧化層和剩余硅片本體形成分界層，所述硅片本體中的金屬雜質向所述分界層富集；
去除包括所述分界層在內的所述氧化層，降低剩余硅片本體中包含的金屬雜質。
2.如權利要求1所述的降低硅片金屬雜質的方法，其特征在于，所述去除包括所述分界層在內的所述氧化層，降低剩余硅片本體中包含的金屬雜質的步驟，包括：
通過濕法刻蝕工藝，去除包括所述分界層在內的所述氧化層，降低剩余硅片本體中包含的金屬雜質。
3.如權利要求1所述的降低硅片金屬雜質的方法，其特征在于，所述通過熱退火工藝使得所述硅片本體的表層被氧化形成氧化層，所述氧化層和所述硅片本體形成分界層，所述硅片中的金屬雜質向所述分界層富集的步驟，包括：
在溫度為800攝氏度至1150攝氏度，退火時間為20秒至100秒，進行快速熱退火工藝，使得所述硅片本體的表層被氧化形成氧化層，所述氧化層和所述硅片本體形成分界層，所述硅片中的金屬雜質向所述分界層富集。
4.如權利要求1所述的降低硅片金屬雜質的方法，其特征在于，所述通過熱退火工藝使得所述硅片本體的表層被氧化形成氧化層，所述氧化層和所述硅片本體形成分界層，所述硅片中的金屬雜質向所述分界層富集的步驟，包括：
通過ISSG退火工藝，使得所述硅片本體的表層被氧化形成氧化層，所述氧化層和所述硅片本體形成分界層，所述硅片中的金屬雜質向所述分界層富集。
5.如權利要求1所述的降低硅片金屬雜質的方法，其特征在于，所述ISSG退火工藝的退火環境包括：
溫度800攝氏度至1150攝氏度，壓力為常壓或3Torr至20Torr之間的任意值。
6.如權利要求5所述的降低硅片金屬雜質的方法，其特征在于，所述ISSG退火工藝進行的退火時間為20秒至100秒。
7.如權利要求1所述的降低硅片金屬雜質的方法，其特征在于，所述通過熱退火工藝使得所述硅片本體的表層被氧化形成氧化層，所述氧化層和所述硅片本體形成分界層，所述硅片中的金屬雜質向所述分界層富集的步驟中，所述氧化層的厚度為25埃至200埃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
