[發(fā)明專利]單步封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110689294.3 | 申請日： | 2017-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN113410186A | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | K·K·候;J·克拉克;J·麥克勞德 | 申請（專利權）人： | 商升特公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 張健;呂傳奇 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
半導體管芯；
在所述半導體管芯之上形成的柱狀凸塊；
在所述柱狀凸塊之上形成的焊料帽；以及
在所述半導體管芯、柱狀凸塊和焊料帽之上沉積的密封劑，其中所述密封劑的表面與所述焊料帽的表面共面，并且所述密封劑接觸所述半導體管芯的與所述柱狀凸塊相對的背面表面，并且其中所述焊料帽的表面保持從所述半導體裝置暴露，以用于后續(xù)安裝所述半導體裝置作為電子裝置的一部分。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括通過所述密封劑機械連接到彼此的多個半導體管芯。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括：在所述半導體管芯之上形成的第一絕緣層，其中所述柱狀凸塊延伸到所述第一絕緣層的開口中。
4.如權利要求3所述的半導體裝置，進一步包括：在所述第一絕緣層之上形成的第二絕緣層，其中所述第二絕緣層的開口與所述第一絕緣層的開口對準。
5.如權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣層包括聚酰亞胺。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括：重新分配層，將所述柱狀凸塊連接到所述半導體管芯。
7.一種半導體裝置，包括：
第一半導體管芯；
在所述第一半導體管芯之上形成的柱狀凸塊；
在所述柱狀凸塊之上形成的焊料帽；以及
在所述第一半導體管芯、柱狀凸塊和焊料帽之上沉積的密封劑，其中所述密封劑接觸所述第一半導體管芯的有源表面和所述第一半導體管芯的與所述有源表面相對的背面表面。
8.如權利要求7所述的半導體裝置，進一步包括：在所述密封劑中設置的第二半導體管芯，其中所述密封劑連續(xù)地從所述第一半導體管芯延伸到所述第二半導體管芯。
9.如權利要求8所述的半導體裝置，進一步包括：印刷電路板，其中所述焊料帽接合到所述印刷電路板的導電跡線或接觸焊盤。
10.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述密封劑的表面與所述焊料帽的表面共面。
11.一種半導體裝置，包括：
半導體管芯；
在所述半導體管芯之上形成的柱狀凸塊；
在所述柱狀凸塊之上形成的焊料帽；以及
在所述半導體管芯、柱狀凸塊和焊料帽之上沉積的密封劑。
12.如權利要求11所述的半導體裝置，其中所述密封劑的表面與所述焊料帽的表面共面。
13.如權利要求11所述的半導體裝置，進一步包括形成在所述半導體管芯與柱狀凸塊之間的重新分配層。
14.如權利要求11所述的半導體裝置，進一步包括通過所述密封劑機械連接到彼此的多個半導體管芯。
15.如權利要求14所述的半導體裝置，進一步包括基板，其中所述多個半導體管芯通過所述焊料帽機械接合到所述基板。
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