[發明專利]一種倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法

在審

• 申請號: 202110689159.9
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN113422294A
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 周鵬;張林建;鮑輝
• 申請（專利權）人: 江蘇索爾思通信科技有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22
• 代理公司: 北京市領專知識產權代理有限公司 11590
• 代理人: 張玲

1.一種倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法，其特征在于，包括：

在外延片的表面生長SiO₂層；

利用RIE蝕刻SiO₂層和InGaAs接觸層，并形成兩條溝槽，所述溝槽為直槽，且兩條溝槽之間具有所設定的間距；

利用RIE蝕刻溝槽底部的InGaAsP PQ層；

使用第一蝕刻液蝕刻InGaAsP PQ層下方的InP空間層，并在兩條溝槽之間形成直臺結構的脊條，所述第一蝕刻液采用設定比例的HCl與H₃PO₄混合而成；

在溝槽內加入第二蝕刻液，利用第二蝕刻液將所述直臺結構的脊條蝕刻為倒臺結構，所述第二蝕刻液采用設定比例的HBr與H₃PO₄混合而成。

2.根據權利要求1所述的倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法，其特征在于，所述第一蝕刻液中，所述HCl與H₃PO₄的體積比為3:10。

3.根據權利要求1所述的倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法，其特征在于，所述第二蝕刻液中，所述HBr與H₃PO₄的體積比為3:10。

4.根據權利要求1-3任一所述的倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法，其特征在于，蝕刻完成后，在倒臺結構脊條兩側的溝槽內填充填充物，并在所述填充物的表面進行曝光、顯影、固化得到所需圖形；

且所述填充物為光敏性Polyimide。

5.根據權利要求4所述的倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法，其特征在于，利用上光阻機填充所述填充物。

6.根據權利要求1-3任一所述的倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法，其特征在于，還包括外延片的制作方法，所述外延片的制作方法包括：利用金屬有機物化學氣相沉積技術，在InP襯底上依次生長n-InP緩沖層、InyAs過渡層，InxAlAs下限制層、InyAs下波導層、InyAs有源層、InyAs上波導層、InxAlAs上限制層、InP帽層、InxGaAsyP光柵層、InP空間層、InGaAsP PQ層以及InGaAs接觸層。

7.根據權利要求6所述的倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法，其特征在于，所述InP空間層與InGaAs接觸層之間構造有兩層所述InGaAsP PQ層，且兩層所述InGaAsP PQ層的波長不同。

8.根據權利要求7所述的倒臺結構的脊波導激光器芯片制作方法，其特征在于，靠近InP襯底的InGaAsP PQ層的波長為1.36um，遠離InP襯底的InGaAsP PQ層的波長為1.55um。