[發(fā)明專利]一種用于鍍膜機(jī)的銀靶噴濺裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110688669.4
• 申請(qǐng)日: 2021-06-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113445011B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 解華林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖南國(guó)創(chuàng)同芯科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C23C14/35
• 代理公司: 長(zhǎng)沙智德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43207
• 代理人: 彭少波

本發(fā)明公布了一種用于鍍膜機(jī)的銀靶噴濺裝置，屬于晶片鍍膜領(lǐng)域，包括設(shè)備箱體，所述設(shè)備箱體內(nèi)設(shè)置工作空間，所述工作空間內(nèi)設(shè)置鍍膜機(jī)構(gòu)和轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)；所述轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)包括轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置在所述工作空間內(nèi)的轉(zhuǎn)動(dòng)部，所述轉(zhuǎn)動(dòng)部上固定設(shè)置若干個(gè)晶片夾具，所述晶片夾具上是待鍍膜的晶片；通過(guò)設(shè)置轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)，使晶片在進(jìn)行鍍膜時(shí)能夠進(jìn)行位置的切換，實(shí)現(xiàn)同時(shí)對(duì)更多的晶片進(jìn)行鍍膜加工，通過(guò)設(shè)置補(bǔ)正件，在進(jìn)行鍍膜的時(shí)候，能夠?qū)⒅虚g部分的銀鈀擋住，從而分散向晶片夾具的兩端，使晶片夾具上的晶片鍍膜時(shí)更加的均勻，并且通過(guò)在分隔部上設(shè)置滑道和刻度、卡座，使在調(diào)節(jié)補(bǔ)正件的上下高度的時(shí)候更加方便，也更加方便掌控調(diào)節(jié)的高度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于晶片鍍膜領(lǐng)域，具體為一種用于鍍膜機(jī)的銀靶噴濺裝置。

背景技術(shù)

晶片在鍍膜加工的時(shí)候，是將晶片放置于真空的電場(chǎng)和磁場(chǎng)下，將靶材噴濺到晶片的表面，形成鍍膜層，鍍膜層的厚度的不同，制作完成后的晶振頻率就會(huì)不一樣，這樣就會(huì)導(dǎo)致晶振在電路中的效果產(chǎn)生不同的差異，因此在實(shí)際鍍膜加工的時(shí)候，需要保證晶片鍍膜的厚度統(tǒng)一性，保證加工質(zhì)量，由于晶片放置在晶片夾具上，每一顆晶片的位置各不相同，因此在實(shí)際加工的時(shí)候，由于靶材上的鍍膜離子是以散射的方式飛出，吸附在晶片夾具上的時(shí)候，晶片夾具中間位置的晶片的鍍膜厚度會(huì)明顯高于兩端的厚度，因此，導(dǎo)致各個(gè)位置的晶片的鍍膜厚度不均勻。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對(duì)以上問(wèn)題，提供一種用于鍍膜機(jī)的銀靶噴濺裝置，保證鍍膜均勻。

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種用于鍍膜機(jī)的銀靶噴濺裝置，包括設(shè)備箱體，所述設(shè)備箱體內(nèi)設(shè)置工作空間，所述工作空間內(nèi)設(shè)置鍍膜機(jī)構(gòu)和轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)；

所述轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)包括轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置在所述工作空間內(nèi)的轉(zhuǎn)動(dòng)部，所述轉(zhuǎn)動(dòng)部上固定設(shè)置若干個(gè)晶片夾具，所述晶片夾具上是待鍍膜的晶片；

所述鍍膜裝置包括設(shè)置于所述工作空間的頂壁上的若干個(gè)第一靶材和若干個(gè)第二靶材，所述晶片夾具從若干個(gè)所述第一靶材之間的間隙走過(guò)時(shí)鍍第一層膜，從若干個(gè)所述第二靶材之間的間隙走過(guò)時(shí)鍍第二層膜。

進(jìn)一步的，所述工作空間的上側(cè)設(shè)置空腔，所述空腔內(nèi)設(shè)置驅(qū)動(dòng)源，所述驅(qū)動(dòng)源控制若干個(gè)所述第一靶材之間同步轉(zhuǎn)動(dòng)，并驅(qū)動(dòng)若干個(gè)所述第二靶材之間同步轉(zhuǎn)動(dòng)。

進(jìn)一步的，所述鍍膜機(jī)構(gòu)還包括設(shè)置于所述工作空間的頂面上的進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管上連接氣源；所述工作空間的頂面上還固定設(shè)置若干個(gè)分隔部，所述分隔部套在所述第一靶材、所述第二靶材的外側(cè)，與所述第一靶材、所述第二靶材之間轉(zhuǎn)動(dòng)連接。

進(jìn)一步的，所述分隔部的一側(cè)設(shè)置缺口，所述缺口正面朝向所述晶片夾具，所述分隔部的外側(cè)面上設(shè)置可上下調(diào)節(jié)的補(bǔ)正件，所述補(bǔ)正件位于所述晶片夾具和所述第二靶材之間的間隙內(nèi)，所述補(bǔ)正件使鍍?cè)谒鼍瑠A具的晶片上的膜的厚度均勻。

進(jìn)一步的，所述分隔部的外側(cè)面上設(shè)置滑道，所述滑道內(nèi)滑動(dòng)設(shè)置卡座，所述補(bǔ)正件被卡接在所述卡座內(nèi)，所述分隔部的外側(cè)面上設(shè)置指示所述補(bǔ)正件上下高度的刻度，所述分隔部上固定設(shè)置指針。

進(jìn)一步的，所述補(bǔ)正件為圓環(huán)，其寬度為2-4mm，材質(zhì)為不導(dǎo)磁材質(zhì)。

進(jìn)一步的，所述轉(zhuǎn)動(dòng)部的頂部設(shè)置若干個(gè)插接座，所述晶片夾具插接于所述插接座上，所述轉(zhuǎn)動(dòng)部上連接驅(qū)動(dòng)其轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)源。

進(jìn)一步的，所述第一靶材、所述第二靶材內(nèi)設(shè)置提供磁場(chǎng)的磁極；所述第一靶材、所述第二靶材連接負(fù)極，所述晶片夾具及所述晶片夾具上的晶片連接正極，所述第一靶材與所述晶片夾具之間，以及所述晶片夾具和所述第二靶材之間形成電場(chǎng)。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種用于鍍膜機(jī)的銀靶噴濺裝置，1、通過(guò)設(shè)置轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)，使晶片在進(jìn)行鍍膜時(shí)能夠進(jìn)行位置的切換，實(shí)現(xiàn)同時(shí)對(duì)更多的晶片進(jìn)行鍍膜加工。