[發明專利]一種低電阻率高電壓PPTC材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202110688343.1
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113410015B
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 陳緒煌;陶佳健
• 申請（專利權）人: 北京復通電子科技有限責任公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C17/00
• 代理公司: 上海世圓知識產權代理有限公司 31320
• 代理人: 王賀玲

1.一種低電阻率高電壓PPTC材料，其特征在于，包括以下體積百分數的原料：高分子聚合物基體32%～55%，分散在所述高分子聚合物基體中的導電填料45%～59%和非導電填料；所述非導電填料為納米二氧化硅與無機阻燃填料的組合物，其中所述納米二氧化硅為1%～8%，所述無機阻燃填料為3%～15%；

所述納米二氧化硅為親油性納米二氧化硅和親水性納米二氧化硅的質量比1：（0.5～1.5）的混合物；所述導電填料為導電陶瓷粉中的一種或幾種；所述導電陶瓷粉包括過渡金屬碳化物、過渡金屬碳硅化物、過渡金屬碳鋁化物和過渡金屬碳錫化物中的至少一種；所述無機阻燃填料為平均粒徑為5～10um的金屬氫氧化物粉末或碳酸鈣微粉中的一種或幾種；所述金屬氫氧化物為氫氧化鎂或氫氧化鋁。

2.根據權利要求1所述的低電阻率高電壓PPTC材料，其特征在于，包括以下體積百分數的原料：高分子聚合物基體35%～50%，分散在所述高分子聚合物基體中的導電填料48%～57%和非導電填料；所述非導電填料中，所述納米二氧化硅為2%～6%，所述無機阻燃填料為4%～12%。

3.根據權利要求1所述的低電阻率高電壓PPTC材料，其特征在于，所述高分子聚合物為結晶性或半結晶性的聚烯烴、乙烯-酯類共聚物、含氟聚合物中的一種多兩種以上；所述聚烯烴為聚乙烯、聚丙烯、或乙烯和丙烯共聚物；所述乙烯-酯類共聚物為乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物或乙烯-丙烯酸丁酯共聚物；所述含氟聚合物為聚偏氟乙烯或乙烯/四氟乙烯共聚物。

4.根據權利要求1所述的低電阻率高電壓PPTC材料，其特征在于，所述高分子聚合物為結晶性或半結晶性高密度聚乙烯。

5.根據權利要求1所述的低電阻率高電壓PPTC材料，其特征在于，還包括：抗氧劑、交聯助劑、加工助劑中的一種或幾種，所述加工助劑為氟化聚烯烴樹脂。

6.一種如權利要求1～5任意一項所述的低電阻率高電壓PPTC材料的制備方法，包括以下步驟：將所述原料混合均勻并加熱到160～220℃，再送入混煉機中混煉；在2min內完成進料，混料機的轉速為20～50rpm，混煉2～20min后出料，即可得到所述的低電阻率高電壓PPTC材料。

7.一種如權利要求1～5任意一項所述的低電阻率高電壓PPTC材料的應用，其特征在于，用于制備過電流保護電子元器件。