[發明專利]一種硅片邊緣拋光裝置以及方法

在審

• 申請號: 202110688126.2
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113400176A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 徐全
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司;西安奕斯偉材料科技有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B41/06;B24B57/02;B24B41/02;B24B41/04;H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 西安維英格知識產權代理事務所(普通合伙) 61253
• 代理人: 李斌棟;沈寒酉

本發明實施例公開了一種硅片邊緣拋光裝置以及方法，所述裝置包括：用于吸附待邊緣拋光硅片的真空吸盤；圓邊拋光鼓，所述圓邊拋光鼓內設置有多個拋光墊，所述多個拋光墊沿所述圓邊拋光鼓內表面的周向方向呈多排環形分布，以實現當所述硅片與所述圓邊拋光鼓發生相對轉動時拋光所述硅片的邊緣；設置在所述圓邊拋光鼓中心位置處的供液管路，所述供液管路能夠從所述硅片上表面的正上方供給拋光液；設置在所述圓邊拋光鼓內的圓形擋板，所述擋板設置在所述硅片的正上方，且能夠繞中心軸線X作旋轉運動；其中，所述擋板在朝向所述圓邊拋光鼓的表面上沿圓周方向均勻地設置有多條溝槽，以使得滴落在所述擋板上的所述拋光液經所述溝槽流動至所述硅片的邊緣。

技術領域

本發明實施例涉及半導體加工技術領域，尤其涉及一種硅片邊緣拋光裝置以及方法。

背景技術

半導體生產加工過程中，需要涂覆光刻膠(Photo Resist，PR)，而半導體邊緣附近的缺陷可能導致PR的不均勻涂覆，而對硅片進行邊緣拋光，能夠降低由于沖擊等外部因素而使硅片產生裂紋的可能性。

硅片在邊緣拋光過程中需要添加拋光液，目前添加拋光液的方法是將拋光液滴落在硅片上表面的中心位置，這樣當硅片繞自身中心軸線旋轉時，拋光液由于離心力的作用，會由硅片的上表面中心位置向硅片的邊緣移動，并流動至硅片與拋光墊之間，從而實現硅片的邊緣拋光。一般來說，拋光液為高堿性研磨劑，且粘性較大，所以在硅片的邊緣拋光過程中，可能會對硅片的上表面產生缺陷。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例期望提供一種硅片邊緣拋光裝置以及方法；能夠在硅片上表面不接觸拋光液的情況下使得拋光液流動至硅片的邊緣來完成硅片的邊緣拋光工序，從而克服了因硅片上表面過刻蝕而引發的粗糙度異常、金屬污染以及顆粒殘留等品質問題。

本發明實施例的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本發明實施例提供了一種硅片邊緣拋光裝置，所述裝置包括：

用于吸附待邊緣拋光硅片的真空吸盤；

圓邊拋光鼓，所述圓邊拋光鼓內設置有多個拋光墊，所述多個拋光墊沿所述圓邊拋光鼓內表面的周向方向呈多排環形分布，以實現當所述硅片與所述圓邊拋光鼓發生相對轉動時拋光所述硅片的邊緣；

設置在所述圓邊拋光鼓中心位置處的供液管路，所述供液管路能夠從所述硅片上表面的正上方供給拋光液；

設置在所述圓邊拋光鼓內的圓形擋板，所述擋板設置在所述硅片的正上方，且能夠繞中心軸線X作旋轉運動；其中，所述擋板在朝向所述圓邊拋光鼓的表面上沿圓周方向均勻地設置有多條溝槽，以使得滴落在所述擋板上的所述拋光液經所述溝槽流動至所述硅片的邊緣。

第二方面，本發明實施例提供了一種硅片邊緣拋光方法，所述方法應用于第一方面所述的裝置，所述方法包括：

將待邊緣拋光的硅片放置于真空吸盤上，并通過所述真空吸盤帶動所述硅片轉動；

通過供液管路將拋光液滴落在旋轉的擋板上，使得所述拋光液經所述擋板上的溝槽流動至所述硅片的邊緣；

按照設定的邊緣拋光工藝要求，旋轉圓邊拋光鼓，對所述硅片進行邊緣拋光。

本發明實施例提供了一種硅片邊緣拋光裝置以及方法；在硅片的正上方增加了設置有多條溝槽的圓形擋板，當拋光液通過供液管路滴落在擋板上時，使得拋光液能夠經擋板上的多條溝槽流動至硅片的邊緣以及拋光墊上，避免了硅片的上表面直接接觸拋光液，降低了硅片上表面過蝕刻的概率，提高了硅片的品質。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的常規技術中使用的硅片邊緣拋光裝置。

圖2為本發明實施例提供的一種硅片邊緣拋光裝置。

圖3為本發明實施例提供的擋板上設置的溝槽結構示意圖。