[發明專利]一種針對損傷SiC涂層炭/炭復合材料的修復方法

在審

• 申請號: 202110688108.4
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113429223A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 李賀軍;王翰輝;史小紅
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種針對損傷SiC涂層炭/炭復合材料的修復方法，其特征在于：SiC涂層損傷處設有Si-SiC內涂層和SiO₂-Nd₂O₃外涂層，修復步驟如下：

步驟1、預處理：沿破損區域表面，對SiC涂層C/C復合材料的損傷處進行銼刀打磨處理，去除該區域涂層，直至裸露C/C復合材料基體；

步驟2、粉料制備：將質量百分含量為50-70％的Si粉、15-30％的SiC粉與5-15％的C粉，球磨混合后作為內涂層粉料；

將質量百分含量為95-100％的SiO₂粉與0-5％的Nd₂O₃粉，球磨混合后置入馬弗爐中，在空氣環境下由室溫隨爐升溫至1573-1773K，持續熱處理1-2h，隨后將其取出空冷，得到SiO₂-Nd₂O₃塊體材料，再將其研磨成粉體后作為外涂層粉料；

步驟3、損傷修復：以無水乙醇作為溶劑與內涂層粉料磁力攪拌后涂刷于步驟1的預處理部位，烘干去除溶劑后，采用光纖激光器在氬氣環境下實施激光熔覆，獲得Si-SiC內涂層；以無水乙醇作為溶劑與外涂層粉料磁力攪拌后涂刷于Si-SiC內涂層表面，烘干去除溶劑后，采用CO₂激光器在氬氣環境下實施激光熔覆，獲得SiO₂-Nd₂O₃外涂層；

其中，內涂層的激光熔覆參數為功率200-400W，掃描速度2-5mm/s，光斑直徑3-5mm；外涂層的激光熔覆參數為功率100-200W，掃描速度10-16mm/s，光斑直徑6-10mm。

2.根據權利要求1所述針對損傷SiC涂層炭/炭復合材料的修復方法，其特征在于：所述球磨混合2-4h。

3.根據權利要求1所述針對損傷SiC涂層炭/炭復合材料的修復方法，其特征在于：所述磁力攪拌2-4h。