[發(fā)明專利]一種用于核酸檢測的微流控芯片及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110687934.7 | 申請日: | 2021-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN113333042B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬曉璐;高志鵬;曾平君;冀健龍 | 申請(專利權(quán))人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | B01L3/00 | 分類號: | B01L3/00;C12M1/42;C12M1/34;C12M1/00 |
| 代理公司: | 太原高欣科創(chuàng)專利代理事務所(普通合伙) 14109 | 代理人: | 冷錦超;鄧東東 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 核酸 檢測 微流控 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種用于核酸檢測的微流控芯片,包括蓋片(1)和基片(2),所述蓋片(1)設(shè)置在基片(2)上,所述蓋片(1)上設(shè)置有多條微流道(3),其特征在于:每條微流道(3)中包括有放大芯片微流道(4)和傳感芯片微流道(5);
所述放大芯片微流道(4)包括進液口(41)、出液口(42)、電容耦合微流道(43)、有機半導體微流道(44);
所述傳感芯片微流道(5)包括進液口(51)和出液口(52);
所述基片(2)由下到上依次設(shè)置有基底(21)、電極導線層(22)、絕緣層(23)、微電極層(24),在微電極層(24)和有機半導體微流道(44)中均設(shè)置有至少一個放大芯片組件(6)、至少一個傳感芯片組件(7)、PAD電極(8)、金屬導線(9)、驅(qū)動電極(10);
所述驅(qū)動電極(10)分別通過絕緣層(23)上設(shè)置的通孔及通孔內(nèi)的電極引線與PAD電極(8)相連,所述PAD電極(8)設(shè)置在蓋片(1)的外部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于核酸檢測的微流控芯片,其特征在于:所述放大芯片組件(6)包括有機半導體膜(61)和第一微電極組,所述第一微電極組包括源極(62)、漏極(63)、柵極(64),所述有機半導體膜(61)設(shè)置在源極(62)和漏極(63)的上側(cè),所述有機半導體膜(61)覆蓋源極(62)、漏極(63)的導電延伸端,同時柵極(64)不與源極(62)、漏極(63)、有機半導體膜(61)相連;
所述驅(qū)動電極(10)、源極(62)和漏極(63)的導電延伸端浸沒在放大芯片微流道內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于核酸檢測的微流控芯片,其特征在于:所述傳感芯片微流道(5)和傳感芯片組件(7)的內(nèi)部均設(shè)置有包括控制柵極(71)和浮動柵極(72),所述控制柵極(71)上沉積有pH敏感材料;所述控制柵極(71)和浮動柵極(72)之間還設(shè)置有介電材料,所述介電材料能夠?qū)崿F(xiàn)在控制柵極(71)與介電材料、浮動柵極(72)與介電材料之間形成界面電容;
所述浮動柵極(72)還通過金屬導線(9)與柵極(64)連接;
所述源極(62)、漏極(63)、控制柵極(71)分別通過絕緣層(23)上設(shè)置的通孔及通孔內(nèi)的電極引線與PAD電極(8)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于核酸檢測的微流控芯片,其特征在于:在基底(21)的上側(cè)設(shè)置有電極導線層(22),所述絕緣層(23)覆蓋在電極導線層(22)和基底(21)的上側(cè),所述微電極層(24)覆蓋在絕緣層(23)的上側(cè);
所述電極導線層(22)包括多個互不相連的電極導線,具體包括:控制柵極導線(221)、源極導線(222)、漏極導線(223)、驅(qū)動電極導線(224);
所述PAD電極(8)包括:控制柵極PAD電極、源極PAD電極、漏極PAD電極、驅(qū)動電極PAD電極;
所述控制柵極(71)通過控制柵極導線(221)與控制柵極PAD電極相連;
所述驅(qū)動電極(10)通過驅(qū)動電極導線(224)與驅(qū)動電極PAD電極相連;
所述源極(62)通過源極導線(222)與源極PAD電極相連;
所述漏極(63)通過漏極導線(223)與漏極PAD電極相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于核酸檢測的微流控芯片,其特征在于:所述驅(qū)動電極(10)與漏極(63)之間的距離設(shè)置為W1;
所述柵極(64)與源極(62)、柵極(64)與漏極(63)之間的距離設(shè)置為W2;
所述源極(62)與漏極(63)之間的距離設(shè)置為W3;
則要求所述第一微電極組之間在垂直方向的距離W4滿足W4>W(wǎng)1=A*W2=B*W3,且1<A<B,能夠保證只在源極(62)、漏極(63)之間沉積有機半導體膜(61)。
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