[發明專利]半導體晶片及其制造方法

在審

• 申請號: 202110687176.9
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN114914249A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 林孟漢;黃家恩
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11587
• 分類號: H01L27/11587;H01L27/1159;H01L27/11597
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體晶片，其特征在于，包含：

一裝置部分，包含：

多個主動記憶體裝置的一陣列，該些主動記憶體裝置的該陣列的每一行在一第一方向上延伸；以及

至少一個接口部分，在該第一方向上鄰近于靠近該裝置部分的一軸向端部，該至少一個接口部分在一垂直方向上具有一階梯形輪廓，該至少一個接口部分包含：

多個虛設記憶體裝置的一陣列，該些虛設記憶體裝置的該陣列的每一行在該第一方向上與該些主動記憶體裝置的該陣列的一對應行軸向地對齊，每個該虛設記憶體裝置包含至少一個接口孔；以及

多個柵極孔的一陣列，該些柵極孔的該陣列的每一行在該第一方向上延伸，并在垂直于該第一方向的一第二方向上與該些虛設記憶體裝置的該陣列的一行平行，每個該柵極孔電耦合到與其相鄰的該虛設記憶體裝置的至少一個接口孔。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于，其中該接口孔用以電耦合至一外部裝置。

3.根據權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于，其中該至少一個接口孔和該柵極孔由相同的材料形成。

4.根據權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于，其中每個該主動記憶體裝置包含：

一源極；

一漏極，在該第一方向上與該源極間隔開；

一內部間隔物，在該源極和該漏極之間延伸；

一通道層，設置在該源極、該漏極和該內部間隔物的多個徑向外表面上，該些徑向外表面在該第一方向上延伸；

一記憶體層，設置在該通道層的一徑向外表面上并在該第一方向上延伸，該記憶體層沿著該些主動記憶體裝置的該各自的行從該裝置部分延伸到該至少一個接口部分，該記憶體層從該裝置部分到該至少一個接口部分是連續的；以及

一堆疊，設置在該記憶體層的一外表面上并沿該第一方向延伸，該堆疊包含多個絕緣層和多個柵極層，該些絕緣層和該些柵極層交替地堆疊在彼此的頂部上。

5.根據權利要求4所述的半導體晶片，其特征在于，其中：

每個該些柵極層沿著該些主動記憶體裝置的該各自的行從該裝置部分延伸到該至少一個接口部分，每個該些柵極層從該裝置部分到該至少一個接口部分是連續的，并且

該柵極孔電耦合到一相應的柵極層。

6.一種半導體晶片，其特征在于，包含：

一裝置部分，包含：

多個主動記憶體裝置的一陣列，該些主動記憶體裝置的該陣列的每一行沿一第一方向延伸，其中，每個該主動記憶體裝置包含：

一源極；

一漏極，在該第一方向上與該源極間隔開；

一通道層，設置在該源極和該漏極的多個徑向外表面上，該通道層在該第一方向上延伸；

一記憶體層，設置在該通道層的一徑向外表面上并在該第一方向上延伸；以及

一堆疊，設置在該記憶體層的多個外表面上并沿該第一方向延伸，該堆疊包含多個絕緣層和多個柵極層，該些絕緣層和該些柵極層交替地堆疊在彼此的頂部上；以及

至少一個接口部分，在該第一方向上位于靠近該裝置部分的一軸向端部，該至少一個接口部分在一垂直方向上具有一階梯形輪廓，該至少一個接口部分包含：

多個虛設記憶體裝置的一陣列，該些虛設記憶體裝置的該陣列的每一行在該第一方向上與該些主動記憶體裝置的該陣列的一相應行軸向地對齊，

其中，該記憶體層沿著該些主動記憶體裝置的該各自的行到該些虛設記憶體裝置的該陣列的一對應的行從該裝置部分延伸到該至少一個接口部分，該記憶體層從該裝置部分到該至少一個接口部分是連續的。

7.根據權利要求6所述的半導體晶片，其特征在于，其中：

每個該虛設記憶體裝置包含至少一個接口孔，以及

該接口部分還包含：

多個柵極孔的一陣列，該些柵極孔的該陣列的每一行在該第一方向上延伸并且在垂直于該第一方向的一第二方向上平行于該些記憶體裝置的該陣列的一行，每個該柵極孔電連接位于每個該柵極孔附近的一虛設記憶體裝置的該至少一個接口孔。