[發(fā)明專利]金屬化膜電容器在交直流復(fù)合電壓下劣化機(jī)理的解耦方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110687158.0
• 申請(qǐng)日: 2021-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN113311275B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李化;張國(guó)豪;林福昌;王雨橙;李浩波;楊心剛;魏曉川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué);國(guó)網(wǎng)上海市電力公司
• 主分類號(hào): G01R31/00
• 分類號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 夏倩

1.一種金屬化膜電容器在交直流復(fù)合電壓下劣化機(jī)理的解耦方法，其特征在于，包括：

S1.制備與金屬化膜電容器相同參數(shù)的導(dǎo)線電容；與金屬化膜電容器相同參數(shù)的導(dǎo)線電容，具體為，與金屬化膜電容器相同膜厚、相同材料、相同尺寸的導(dǎo)線電容；所述導(dǎo)線電容由兩張未留邊的金屬化膜卷繞后兩端噴金構(gòu)成，卷繞后金屬電極串聯(lián)在回路中，形成沒(méi)有電容量的假電容，避免其發(fā)生自愈現(xiàn)象；所述導(dǎo)線電容的電極為漸變方阻，對(duì)應(yīng)金屬化膜電容器的留邊處方阻最小，對(duì)應(yīng)金屬化膜電容器的噴金連接處方阻最大；

S2.對(duì)金屬化膜電容器施加交直流復(fù)合電壓，得到金屬化膜電容器劣化狀態(tài)；

S3.對(duì)導(dǎo)線電容施加紋波電流，得到導(dǎo)線電容的劣化狀態(tài)；所述紋波電流為與金屬化膜電容器所承受的紋波電流頻率、幅值相同的電流；

S4.提取能夠表征導(dǎo)線電容劣化狀態(tài)的特征量，將其等效為金屬化膜電容器由電化學(xué)腐蝕和熱效應(yīng)導(dǎo)致的劣化特征；

S5.提取能夠表征金屬化膜電容器劣化狀態(tài)的特征量，從中剔除導(dǎo)線電容劣化狀態(tài)的特征量，將剩余特征量等效為由自愈導(dǎo)致的劣化特征。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬化膜電容器在交直流復(fù)合電壓下劣化機(jī)理的解耦方法，其特征在于，S2具體為，

對(duì)金屬化膜電容器施加交直流復(fù)合電壓，測(cè)量金屬化膜電容器在交直流復(fù)合電壓下的電容量變化、溫度變化和電極形貌。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬化膜電容器在交直流復(fù)合電壓下劣化機(jī)理的解耦方法，其特征在于，所述漸變方阻具體設(shè)置為，導(dǎo)線電容對(duì)應(yīng)金屬化膜電容器噴金連接端方阻設(shè)置為0.75R₀，距噴金連接端0.4L處方阻設(shè)置為0.25R₀，距噴金連接端0.4L之內(nèi)方阻線性變化，其余區(qū)域方阻設(shè)置為0.25R₀；R₀、L分別為金屬化膜電容器的方阻和膜寬。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種金屬化膜電容器在交直流復(fù)合電壓下劣化機(jī)理的解耦方法，其特征在于，交直流復(fù)合電壓中的直流電壓大于金屬化膜電容器的額定直流電壓，交流電壓大于金屬化膜電容器實(shí)際工況中的交流電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種金屬化膜電容器在交直流復(fù)合電壓下劣化機(jī)理的解耦方法，其特征在于，直流電壓為金屬化膜電容器額定直流電壓的1.5～3倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種金屬化膜電容器在交直流復(fù)合電壓下劣化機(jī)理的解耦方法，其特征在于，交流電壓為金屬化膜電容器實(shí)際工況中交流電壓的1.5～3倍。