[發(fā)明專利]一種極紫外GaN UV-LED外延結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110686783.3 | 申請日： | 2021-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN113299807A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 南琦;劉銀 | 申請（專利權(quán)）人： | 木昇半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/64;H01L33/04;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京化育知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11833 | 代理人： | 閆露露 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紫外 gan uv led 外延 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種極紫外GaN UV-LED外延結(jié)構(gòu)，包括襯底層(1)，其特征在于：所述襯底層(1)上設(shè)有外延層(4)，所述外延層(4)設(shè)有多組，所述外延層(4)等距離設(shè)置，且每組外延層(4)之間設(shè)置有分隔層(3)，所述外延層(4)與襯底層(1)之間設(shè)有劃痕層(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種極紫外GaN UV-LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述外延層(4)包括半導(dǎo)體模板層(8)、緩沖層(9)、高溫n-GaN層(10)、低溫AlGaN/AlInGaN紫外發(fā)光層(11)、高溫p-AlGaN電子阻擋層(12)和p型摻雜AlGaN層(13)，所述緩沖層(9)設(shè)置在半導(dǎo)體模板層(8)上，所述高溫n-GaN層(10)設(shè)置在緩沖層(9)上，所述低溫AlGaN/AlInGaN紫外發(fā)光層(11)設(shè)置在高溫n-GaN層(10)上，所述高溫p-AlGaN電子阻擋層(12)設(shè)置在p型摻雜AlGaN層(13)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種極紫外GaN UV-LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述緩沖層(9)包括GaAs層和AlGaAs層組成，且GaAs層和AlGaAs設(shè)置有多組，所述GaAs層、AlGaAs層交替堆疊組成超晶格結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種極紫外GaN UV-LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底層(1)包括導(dǎo)電襯底(5)、反光層(6)和金屬電極層(7)，所述金屬電極層(7)設(shè)置在反光層(6)上，所述反光層(6)設(shè)置在導(dǎo)電襯底(5)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種極紫外GaN UV-LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體模板層(8)采用氧化物鉻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種極紫外GaN UV-LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述劃痕層(2)上設(shè)有切割痕(14)，且切割痕(14)為彎曲狀。
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