[發明專利]半導體器件的測試結構及其制作方法以及存儲器

有效

• 申請號: 202110686531.0
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113437047B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 張澤華;楊盛瑋
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L27/11556;H01L27/11582;H01L21/60
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種半導體器件的測試結構，其特征在于，包括：

第一半導體結構，包括：控制電路；

第二半導體結構，位于所述第一半導體結構之上，包括：半導體襯底以及位于所述半導體襯底和所述第一半導體結構之間的導電結構；其中，所述導電結構與所述半導體襯底電連接；

焊盤，位于所述第二半導體結構之上，通過所述導電結構與所述半導體襯底電連接，且與所述控制電路電連接；

絕緣層，位于所述焊盤與所述半導體襯底之間。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，

所述半導體襯底包括：相對設置的第一表面和第二表面；其中，所述第一表面相對靠近所述第一半導體結構；

所述導電結構包括：第一子導電結構，包括：

第一接觸，位于覆蓋所述第一表面的第一介質層中，且與所述半導體襯底電絕緣；

第二接觸，沿平行于所述半導體襯底方向與所述第一接觸并列設置在所述第一介質層中，且與所述半導體襯底電連接；

第一導電層，沿平行于所述半導體襯底所在的平面設置在所述第一介質層中，所述第一導電層的一端與所述第一接觸電連接，所述第一導電層的另一端與所述第二接觸電連接；

所述第二半導體結構還包括：

第一導電柱，貫穿所述半導體襯底，用于電連接所述第一接觸與所述焊盤；其中，所述第一導電柱與所述半導體襯底電絕緣；

第一互連結構，位于所述第一導電層與所述第一半導體結構之間，用于電連接所述第一導電層與所述控制電路。

3.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述第二半導體結構，還包括：

二極管，位于所述半導體襯底內，用于電連接所述半導體襯底和所述第二接觸。

4.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：

第二互連結構，位于所述第一互連結構與所述控制電路之間，用于電連接所述第一互連結構與所述控制電路。

5.一種半導體器件的測試結構，其特征在于，包括：

第一半導體結構，包括：控制電路；

第二半導體結構，位于所述第一半導體結構之上，包括：

半導體襯底；

第一導電柱，貫穿所述半導體襯底；其中，所述第一導電柱與所述半導體襯底電絕緣；

第二子導電結構，位于所述半導體襯底內；其中，所述第二子導電結構與所述半導體襯底電連接；沿垂直于所述半導體襯底所在平面的方向，所述第二子導電結構的厚度小于所述半導體襯底的厚度；

焊盤，位于所述第二半導體結構之上，通過所述第一導電柱與所述控制電路電連接，并通過所述第二子導電結構與所述半導體襯底電連接；

絕緣層，位于所述焊盤與所述半導體襯底之間。

6.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述半導體襯底包括：相對設置的第一表面和第二表面；其中，所述第一表面相對靠近所述第一半導體結構；所述第二半導體結構還包括：

第一子導電結構，位于所述半導體襯底和所述第一半導體結構之間，且與所述半導體襯底電連接，包括：

第一接觸，位于覆蓋所述第一表面的第一介質層中，通過所述第一導電柱與所述焊盤電連接；

第二接觸，沿平行于所述半導體襯底方向與所述第一接觸并列設置在所述第一介質層中，且與所述半導體襯底電連接；

第一導電層，沿平行于所述半導體襯底所在的平面設置在所述第一介質層中，所述第一導電層的一端與所述第一接觸電連接，所述第一導電層的另一端與所述第二接觸電連接；

第一互連結構，位于所述第一導電層與所述第一半導體結構之間，用于電連接所述第一導電層與所述控制電路；

所述焊盤，還通過所述第一子導電結構與所述半導體襯底電連接。