[發(fā)明專利]焊盤結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110686466.1
• 申請(qǐng)日: 2021-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN113437042B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魯林芝;李樂;賀吉偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/58;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

絕緣介質(zhì)層，形成于一襯底上；

金屬互連結(jié)構(gòu)，形成于所述絕緣介質(zhì)層中，所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括相互絕緣的第一部分和第二部分；以及，

焊盤，形成于所述絕緣介質(zhì)層的頂部，所述絕緣介質(zhì)層至少暴露出所述焊盤的頂表面，所述焊盤與所述第一部分電連接，所述焊盤與所述第二部分絕緣。

2.如權(quán)利要求1所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分均包括多層金屬層和多個(gè)導(dǎo)電插塞，多層所述金屬層自下向上形成于所述絕緣介質(zhì)層中，相鄰層的所述金屬層之間通過所述導(dǎo)電插塞電連接。

3.如權(quán)利要求1所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一部分環(huán)繞形成于所述第二部分的外圍。

4.如權(quán)利要求1所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一部分為環(huán)形或長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求2所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一部分中的金屬層的橫截面積小于所述第二部分中的金屬層的橫截面積。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底包括自下向上的下層襯底、絕緣埋層和半導(dǎo)體層。

7.如權(quán)利要求6所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求7所述的焊盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的底面與所述絕緣埋層接觸，所述第一部分在所述半導(dǎo)體層上的垂直投影與所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)至少部分重疊，所述焊盤結(jié)構(gòu)還包括通孔插塞，所述通孔插塞的一端與所述第一部分電連接，所述通孔插塞的另一端從所述絕緣介質(zhì)層經(jīng)所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和所述絕緣埋層延伸至與所述下層襯底接觸。

9.一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

至少兩個(gè)如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的焊盤結(jié)構(gòu)，形成于所述襯底上；以及，

測(cè)試圖案，形成于所述襯底上的絕緣介質(zhì)層中，至少兩個(gè)所述焊盤結(jié)構(gòu)中的所述第一部分均與所述測(cè)試圖案電連接，所述焊盤結(jié)構(gòu)中的所述第二部分與所述測(cè)試圖案絕緣。

10.一種半導(dǎo)體測(cè)試方法，其特征在于，包括：

提供如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)；

將測(cè)試機(jī)臺(tái)上的卡針與所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)中的所述絕緣介質(zhì)層暴露出的所述焊盤的頂表面接觸，以向所述測(cè)試圖案施加電壓或電流。